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本发明提供了一种气相沉积设备,属于半导体设备领域,为了解决腔室门阀寿命低的问题,本发明具体包括:反应腔,其侧壁上设置有传片口,托盘,其位于所述反应腔中,用于承载基片;加热器,其位于托盘下方,用于控制托盘的温度;传片通道,其一端与传片口连通,...该专利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种气相沉积设备,属于半导体设备领域,为了解决腔室门阀寿命低的问题,本发明具体包括:反应腔,其侧壁上设置有传片口,托盘,其位于所述反应腔中,用于承载基片;加热器,其位于托盘下方,用于控制托盘的温度;传片通道,其一端与传片口连通,...