半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括衬底、位于所述衬底上分立的多个鳍部、横跨所述鳍部的栅极结构，栅极结构两侧的鳍部上形成有初始源漏结构；在初始源漏结构的第二区域形成第二衬垫层，第二区域包括初始源漏结构顶部及由顶部向下延伸的部分侧壁；在基底上形成第二填充层，第二填充层覆盖初始源漏结构；在第二填充层顶部形成掩膜层，掩膜层形成有掩膜开口，该掩膜开口暴露相邻的两个初始源漏结构之间的第二填充层的顶部；以掩膜层为掩膜、第二衬垫层为停止层，去除部分初始源漏结构，形成源漏结构。本发明专利技术能够在相邻源漏结构之间形成较佳的间隙，避免由于相邻源漏结构之间距离过近或连接而导致的器件性能变差。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthreshold leakage)现象，即所谓的短沟道效应(sce：short-channel effects)更容易发生

2、因此，为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面mosfet向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(finfet)。finfet中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面mosfet相比，栅极结构对沟道的控制能力更强，能够很好的抑制短沟道效应本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述初始源漏结构的第二区域形成第二衬垫层的步骤包括：

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除暴露出的所述第一衬垫材料层，暴露所述初始源漏结构的第二区域的步骤中，所述第一衬垫材料层与所述初始源漏结构的刻蚀选择比大于20：1。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除暴露出的所述第一衬垫材料层，暴露所述初始源漏结构的第二区域的步骤中，所述第二区域的边缘与所述初始源漏结构的顶部在竖直方向的距离为E，所述初始源漏...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述初始源漏结构的第二区域形成第二衬垫层的步骤包括：

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除暴露出的所述第一衬垫材料层，暴露所述初始源漏结构的第二区域的步骤中，所述第一衬垫材料层与所述初始源漏结构的刻蚀选择比大于20：1。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除暴露出的所述第一衬垫材料层，暴露所述初始源漏结构的第二区域的步骤中，所述第二区域的边缘与所述初始源漏结构的顶部在竖直方向的距离为e，所述初始源漏结构的高度为h1，e与h1的比值范围为0.125～0.4。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，相邻的所述初始源漏结构之间存在连接点，所述连接点与所述初始源漏结构的顶部在竖直方向的距离为h2，所述第二区域的边缘与所述初始源漏结构的顶部在竖直方...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂武涛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：