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本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括衬底、位于所述衬底上分立的多个鳍部、横跨所述鳍部的栅极结构，栅极结构两侧的鳍部上形成有初始源漏结构；在初始源漏结构的第二区域形成第二衬垫层，第二区域包括初始源漏结构顶部及由顶部向下...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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