【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。
技术介绍
1、存储器因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。随着存储器的有效尺寸不断减小，对各结构之间的接触电阻显著上升。接触插塞是存储器的重要部件，现有接触插塞的接触电阻较大，对信号传输功能影响较大。
2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法、存储器，可降低接触电阻。
2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：
3、提供衬底，所述衬底包括掺杂区；
4、在所述衬底的表面形成介质层，所述介质层具有露出所述掺杂区的接触孔；
5、在所述接触孔的底部形成接触层；
6、在所述接触层的表面形成势垒调节层；
7、对所述势垒调节...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述接触层，包括：
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述接触材料为金属材料，所述接触层的材料为金属硅化物。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述势垒调节层的厚度为0.5nm～2.5nm。
5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述接触孔的底部形成接触层之前，所述形成方法还包括：
6.根据权利要求1-5任一项所述的形成方法，其特征在于，形成所述势垒调节层和...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述接触层，包括：
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述接触材料为金属材料，所述接触层的材料为金属硅化物。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述势垒调节层的厚度为0.5nm～2.5nm。
5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述接触孔的底部形成接触层之前，所述形成方法还包括：
6.根据权利要求1-5任一项所述的形成方法，其特征在于，形成所述势垒调节层和所述偶极子层，包括：
7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在去除所述牺牲层之后，所述形成方法还包括：
8.根据权利要求1-5任一项所述的形成方法，其特征在于，在形成所述偶极子层之后，所述形成方法还包括：
9.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述接触插塞包括：
10.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述衬底表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：连建伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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