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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的形成方法包括：提供衬底，衬底包括掺杂区；在衬底的表面形成介质层，介质层具有露出掺杂区的接触孔；在接触孔的底部形成接触层；在接触层的表面形成势垒调节层；对势垒调节层进...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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