【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示器件领域，特别涉及一种原子层沉积金属氧化物有源层薄膜晶体管及制备方法。
技术介绍
1、近年来，非晶氧化物(aos)由于拥有较高的迁移率、高均匀性、透明度高、工艺温度低和成本较低的特点，吸引了各界的关注，其可以应用在显示、传感和探测等多个领域。自2004年hosono报道了a-igzo tft以来，在平板显示领域非晶氧化物薄膜晶体管研究引起大量关注，但是随着显示技术的发展，开发高迁移率高稳定性motft是十分迫切的。
2、作为tft有源层材料，单一二元氧化物一般难以获得较好的性能，所以aoss一般是一种三元或四元化合物，在氧化锌晶格中引入不同的金属离子，以增强非晶态晶格的电子迁移率或者精确控制载流子浓度，因此许多多元aos材料(如igzo、izo、itzo、zto、igo等)被提出。目前产业主要都是基于物理气相沉积设备(pvd)来制备n型氧化物半导体层，该方法有成膜快等优势，原子沉积作为一种气相表面生长型的沉积方式，制备的薄膜质量高，生长的自限性可沉积厚度精准的氧化物薄膜，通过不同的前驱体沉积较容易调控成分。...
【技术保护点】
1.一种原子层沉积金属氧化物有源层薄膜晶体管，其特征在于，由上至下包括有机钝化层、无机钝化层、有源层、介电层、栅极及衬底，所述有源层包括在介电层表面交替沉积的氧化铟层、氧化锌层和掺杂层，所述掺杂层采用氧化钛，有机钝化层及无机钝化层的两侧设置源电极和漏电极。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积金属氧化物有源层薄膜晶体管，其特征在于，所述交替沉积具体是采用原子层沉积的方式进行TiIZO大循环。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积金属氧化物有源层薄膜晶体管，其特征在于，TiIZO大循环包括依次进行的若干次铟锌氧化物子循环和若干次钛氧化物子循环。>
4.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积金属氧化物有源层薄膜晶体管，其特征在于，由上至下包括有机钝化层、无机钝化层、有源层、介电层、栅极及衬底，所述有源层包括在介电层表面交替沉积的氧化铟层、氧化锌层和掺杂层，所述掺杂层采用氧化钛，有机钝化层及无机钝化层的两侧设置源电极和漏电极。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积金属氧化物有源层薄膜晶体管，其特征在于，所述交替沉积具体是采用原子层沉积的方式进行tiizo大循环。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积金属氧化物有源层薄膜晶体管，其特征在于，tiizo大循环包括依次进行的若干次铟锌氧化物子循环和若干次钛氧化物子循环。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积金属氧化物有源层薄膜晶体管，其特征在于，铟锌氧化物子循环和钛氧化物子循环的循环次数之比为2:1-12:1。
5.根据权利要求1所述的原子层沉积金属氧化物有源层薄膜晶体管，其特征在于，所述掺杂层采用氧化钛，所述氧化钛的前驱体为四氯化钛或四(二甲氨基...
【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，胡天行，彭俊彪，徐苗，李民，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：
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