【技术实现步骤摘要】
在各种实施例中，本专利技术大体上涉及具有包含交错的绝缘层面及导电层面的存储器装置的垂直阵列的设备(例如，装置、系统)。更特定来说，本专利技术涉及具有从堆叠的导电层面的导电材料延伸的导电“轨”的设备(例如，半导体存储装置(例如，3d nand存储器装置))及用于形成所述导电“轨”的方法。
技术介绍
1、存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是各种存储器类型之一且在现代计算机及装置中具有众多用途。常规的快闪存储器装置可包含具有布置成行及列的大量电荷存储装置(例如，存储器单元，例如非易失性存储器单元)的存储器阵列。在nand架构类型的快闪存储器中，布置成列的存储装置串联耦合，且所述列的第一存储装置经耦合到数据线(例如，位线)。
2、在“三维nand”(在本文中也可被称为“3d nand”)(一种类型的垂直存储器)中，存储装置不仅以行及列方式布置在水平阵列中，而且水平阵列的层面彼此堆叠(例如，作为存储装置的垂直串)以提供存储装置的“三维阵列”。垂直层面的堆叠使导电材料与绝缘(例如，电介质)材料交替。可各自提供垂直沟道区的柱延伸穿过...
【技术保护点】
1.一种形成电子装置的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成包括延伸穿过所述材料堆叠的所述柱的所述结构包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述开口中生长所述额外量的所述导电材料包括生长所述额外量的所述导电材料以与所述绝缘材料的所述外侧壁至少部分地重叠。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在生长所述额外量的所述导电材料之前，至少在所述绝缘材料的所述外侧壁上形成抑制剂。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在生长所述额外量的所述导电材料之前，在暴露在所述开口中的所述导电材料的表面上
【技术特征摘要】
1.一种形成电子装置的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成包括延伸穿过所述材料堆叠的所述柱的所述结构包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述开口中生长所述额外量的所述导电材料包括生长所述额外量的所述导电材料以与所述绝缘材料的所述外侧壁至少部分地重叠。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在生长所述额外量的所述导电材料之前，至少在所述绝缘材料的所述外侧壁上形成抑制剂。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在生长所述额外量的所述导电材料之前，在暴露在所述开口中的所述导电材料的表面上形成成形促进剂。
6.一种电子设备，其包括：
7.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述层组分别由所述导电层面中的一者和所述绝缘层面中的一者组成。
8.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述沟道区具有中空结构，所述柱分别进一步包括位于所述中空结构内部的至少一种其它填充材料。
9.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述导电轨是导电材料的t型轨，所述导电材料的所述t型轨界定所述至少一些垂直相邻的导电层面中的各个层面的外侧壁。
10.根据权利要求6所述的电子设备，其中，针对所述至少一些垂直相邻的导电层面，所述导电层面沿着所述内部导电区的宽度分别具有平坦的上表面和平坦的下表面。
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·D·霍普金斯，R·J·克莱因，J·D·格林利，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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