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本申请案涉及在导电层面中具有导电轨的三维存储器以及相关设备、系统及方法。电子装置(例如，半导体装置，其可经配置用于3D NAND装置)包括延伸穿过交替的导电层面及绝缘层面的堆叠的柱。可包含用于存取线(例如，字线)的控制栅极的所述导电层面包含...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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