【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及图像传感器，更具体地，涉及在其中具有高度集成的像素的图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器是将光学图像信号转换成电信号的装置。图像传感器可以具有多个像素，并且每个像素可包括接收入射光并将该光转换成电信号的光电二极管。还提供了像素电路，其基于由光电二极管产生的电荷输出像素信号。近来，随着图像传感器的集成度增加，每个像素的尺寸减小。随着像素尺寸的小型化的发展，为了增加光电二极管的有效面积，可以使用其中多个像素共享晶体管的共享像素结构。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了一种图像传感器，其使用接触阻挡结构以抑制相邻的共享像素的源极跟随器栅极之间的电容耦接，并从而改善图像传感器的电特性。
2、根据本专利技术构思的一方面，提供了一种图像传感器，该图像传感器包括衬底和多个共享像素。多个共享像素包括：多个单元像素、深沟槽隔离结构，其将多个共享像素分隔开、以及接触阻挡结构，其布置在多个共享像素之间，并且在竖直方向上与深沟槽隔离结构重叠。第一共享像素和第二共享像素中的每一个...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个源极跟随器栅极包括第一源极跟随器栅极至第三源极跟随器栅极；其中，所述第一源极跟随器栅极和所述第二源极跟随器栅极在所述第一方向上彼此面对，并且在所述第一方向上布置在两端；并且其中，所述第一源极跟随器栅极和所述第三源极跟随器栅极在所述第二方向上彼此面对，并且在所述第一方向上布置在一端。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述接触阻挡结构布置在所述第一共享像素的第二源极跟随器栅极与所述第二共享像素的第一源极跟随器栅极和第三源极跟随器栅极之间。
4.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个源极跟随器栅极包括第一源极跟随器栅极至第三源极跟随器栅极；其中，所述第一源极跟随器栅极和所述第二源极跟随器栅极在所述第一方向上彼此面对，并且在所述第一方向上布置在两端；并且其中，所述第一源极跟随器栅极和所述第三源极跟随器栅极在所述第二方向上彼此面对，并且在所述第一方向上布置在一端。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述接触阻挡结构布置在所述第一共享像素的第二源极跟随器栅极与所述第二共享像素的第一源极跟随器栅极和第三源极跟随器栅极之间。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个浮置扩散区域包括第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域和所述第二浮置扩散区域相对于彼此间隔开；并且其中，所述第一浮置扩散区域和所述第二浮置扩散区域中的每一个被多个传输栅极共享。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述第一浮置扩散区域和所述第二浮置扩散区域被布置成在所述第二方向上彼此面对，并且位于所述多个传输栅极的中心区域中。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括电连接到所述多个源极跟随器栅极的竖直接触件，所述竖直接触件包括与所述接触阻挡结构实质上相同的材料。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述深沟槽隔离结构和所述接触阻挡结构在竖直方向上彼此间隔开。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，绝缘材料层布置在所述深沟槽隔离结构与所述接触阻挡结构之间；并且其中，所述接触阻挡结构的底表面的竖直水平高度低于所述多个源极跟随器栅极的底表面的竖直水平高度。
9.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，绝缘材料层和硅材料层布置在所述深沟槽隔离结构与所述接触阻挡结构之间；并且其中，所述接触阻挡结构的底表面的竖直水平高度与所述多个源极跟随器栅极的...
【专利技术属性】
技术研发人员：金净惠，公拮宇，金东炫，金声仁，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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