【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种电连接结构及半导体封装结构。
技术介绍
1、随着电子工业的飞速发展，并且为了满足用户的需求，电子设备越来越小型化、多功能化且具有大容量，需要将多个半导体芯片封装在一起以形成半导体封装结构。因此，已经开发了使用电连接结构等结构来连接高度集成的半导体芯片的半导体封装结构。但是，半导体封装结构在运行过程中会产生大量的热量并积攒在电连接结构等结构内，影响半导体封装结构的性能。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本公开实施例提供一种电连接结构及半导体封装结构，用于提高电连接结构的散热速度，提高电连接结构的性能，进而提高半导体封装结构的性能。
2、本公开实施例的第一方面提供一种电连接结构，其包括：第一布线层，所述第一布线层内具有第一传输结构；
3、第一介电层，所述第一介电层设置在所述第一布线层上，且所述第一介电层内具有导电结构；所述导电结构与所述第一传输结构的最小间距大于零；
4、第二布线层，所述第二布线层位于所述第一介电层上，且所述第二布线层内具有第二传输结构；所述第二传输结构位于所述导电结构上方，并与所述导电结构连接。
5、在一些实施例中，所述导电结构仅与所述第二传输结构同时物理接触且电连接。
6、在一些实施例中，所述导电结构为多个，多个所述导电结构间隔设置在所述第一介电层内，各所述导电结构分别与所述第一传输结构连接。
7、在一些实施例中，至少部分所述导电结构形状相同。在一些实施例中，
8、在一些实施例中，所述第二传输结构包括多条第一传输线和多条第二传输线；
9、多条所述第一传输线沿第一方向间隔排布，多条所述第二传输线沿第二方向间隔排布；所述导电结构与所述第一传输线和/或所述第二传输线连接；所述第一方向和所述第二方向相交。
10、在一些实施例中，所述导电结构与所述第一传输线和第二传输线的交点，沿垂直于所述第二布线层的方向排布。
11、在一些实施例中，所述导电结构包括沿垂直于所述第二布线层延伸的柱状结构，所述柱状结构靠近所述第二布线层的端部与所述第一传输线和所述第二传输线的交点连接。
12、在一些实施例中，所述导电结构包括沿所述第一方向或者沿所述第二方向延伸的条状结构。
13、在一些实施例中，所述导电结构包括沿所述第一方向延伸的第一导电条和沿所述第二方向延伸的第二导电条，所述第一导电条和所述第二导电条的交点，与所述第一传输线和所述第二传输线的交点沿垂直于所述第二布线层的方向排布。
14、在一些实施例中，所述导电结构还包括沿第三方向延伸的第三导电条和沿第四方向延伸的第四导电条，所述第一方向、所述第二方向、所述第三方向和所述第四方向相交。
15、在一些实施例中，所述第四导电条、所述第三导电条、所述第二导电条和所述第一导电条相交于一点，且该点位于所述第一传输线和所述第二传输线的交点的正下方。
16、在一些实施例中，所述第一传输结构包括多条第三传输线和多条第四传输线；多条所述第三传输线沿第一方向间隔排布，多条所述第四传输线沿第二方向间隔排布；任意相邻的两条所述第三传输线和任意相邻的两条所述第四传输线限定出第一区域；
17、所述导电结构在所述第一布线层内的正投影位于所述第一区域内，且所述第一传输线和所述第二传输线的交点在所述第一布线层上的正投影与所述第一区域的中心重合。
18、在一些实施例中，所述导电结构靠近所述第一布线层的端部位于所述第一布线层内，且所述导电结构朝向所述第一传输结构的表面与所述第一传输结构具有重叠区域，所述导电结构与所述第一传输结构形成电容器。
19、在一些实施例中，所述第一介电层与所述第二布线层直接接触；或者，所述第一介电层与所述第二布线层间隔设置。
20、在一些实施例中，所述导电结构靠近所述第一布线层的端部位于所述第一布线层的第一介质层内。
21、在一些实施例中，所述第一布线层还包括第二介质层和第三介质层，所述第二介质层和所述第三介质层分别设置在所述第一介质层的两侧。
22、本公开实施例的第二方面提供一种半导体封装结构，其包括：第一方面所述的电连接结构。
23、本公开实施例所提供的电连接结构及半导体封装结构中，通过在第一介电层内额外设置导电结构，通过导电结构具有较高的热传导性能，可以将电连接结构内产生热量快递地传导至电连接结构外，提高了电连接结构的散热能力。
24、此外，导电结构与位于第二布线层内的第二传输结构连接，可以增加第二传输结构的面积，以此来增强第二传输结构的散热能力，提高电连接结构的散热能力。导电结构与位于第二布线层内的第二传输结构连接，还能降低第二传输结构的电阻，提高了第二传输结构的信号传输能力，进而提高了电连接结构传输信号的灵敏度。
25、除了上面所描述的本公开实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本公开实施例提供的电连接结构及半导体封装结构所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。
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1.一种电连接结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，其特征在于，所述导电结构仅与所述第二传输结构同时物理接触且电连接。
3.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构为多个，多个所述导电结构间隔设置在所述第一介电层内，各所述导电结构分别与所述第二传输结构连接。
4.根据权利要求3所述的电连接结构，其特征在于，至少部分所述导电结构形状相同。
5.根据权利要求4所述的电连接结构，其特征在于，各所述导电结构在所述第一布线层的正投影和所述第一传输结构的最小间距大于零。
6.根据权利要求1-5任一项所述的电连接结构，其特征在于，所述第二传输结构包括多条第一传输线和多条第二传输线；
7.根据权利要求6所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构与所述第一传输线和第二传输线的交点，沿垂直于所述第二布线层的方向排布。
8.根据权利要求7所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构包括沿垂直于所述第二布线层延伸的柱状结构，所述柱状结构靠近所述第二布线层的端部与所述第一传
9.根据权利要求7所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构包括沿所述第一方向或者沿所述第二方向延伸的条状结构。
10.根据权利要求7所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构包括沿所述第一方向延伸的第一导电条和沿所述第二方向延伸的第二导电条，所述第一导电条和所述第二导电条的交点，与所述第一传输线和所述第二传输线的交点沿垂直于所述第二布线层的方向排布。
11.根据权利要求10所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构还包括沿第三方向延伸的第三导电条和沿第四方向延伸的第四导电条，所述第一方向、所述第二方向、所述第三方向和所述第四方向相交。
12.根据权利要求11所述的电连接结构，其特征在于，所述第四导电条、所述第三导电条、所述第二导电条和所述第一导电条相交于一点，且该点位于所述第一传输线和所述第二传输线的交点的正下方。
13.根据权利要求5所述的电连接结构，其特征在于，所述第一传输结构包括多条第三传输线和多条第四传输线；多条所述第三传输线沿第一方向间隔排布，多条所述第四传输线沿第二方向间隔排布；任意相邻的两条所述第三传输线和任意相邻的两条所述第四传输线限定出第一区域；
14.根据权利要求1-5任一项所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构靠近所述第一布线层的端部位于所述第一布线层内，且所述导电结构朝向所述第一传输结构的表面与所述第一传输结构具有重叠区域，所述导电结构与所述第一传输结构形成电容器。
15.根据权利要求1-5任一项所述的电连接结构，其特征在于，所述第一介电层与所述第二布线层直接接触；或者，所述第一介电层与所述第二布线层间隔设置。
16.根据权利要求1-5任一项所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构靠近所述第一布线层的端部位于所述第一布线层的第一介质层内。
17.根据权利要求16所述的电连接结构，其特征在于，所述第一布线层还包括第二介质层和第三介质层，所述第二介质层和所述第三介质层分别设置在所述第一介质层的两侧。
18.一种半导体封装结构，其特征在于，包括权利要求1-17任一项所述的电连接结构。
...【技术特征摘要】
1.一种电连接结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，其特征在于，所述导电结构仅与所述第二传输结构同时物理接触且电连接。
3.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构为多个，多个所述导电结构间隔设置在所述第一介电层内，各所述导电结构分别与所述第二传输结构连接。
4.根据权利要求3所述的电连接结构，其特征在于，至少部分所述导电结构形状相同。
5.根据权利要求4所述的电连接结构，其特征在于，各所述导电结构在所述第一布线层的正投影和所述第一传输结构的最小间距大于零。
6.根据权利要求1-5任一项所述的电连接结构，其特征在于，所述第二传输结构包括多条第一传输线和多条第二传输线；
7.根据权利要求6所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构与所述第一传输线和第二传输线的交点，沿垂直于所述第二布线层的方向排布。
8.根据权利要求7所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构包括沿垂直于所述第二布线层延伸的柱状结构，所述柱状结构靠近所述第二布线层的端部与所述第一传输线和所述第二传输线的交点连接。
9.根据权利要求7所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构包括沿所述第一方向或者沿所述第二方向延伸的条状结构。
10.根据权利要求7所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构包括沿所述第一方向延伸的第一导电条和沿所述第二方向延伸的第二导电条，所述第一导电条和所述第二导电条的交点，与所述第一传输线和所述第二传输线的交点沿垂直于所述第二布线层的方向排布。
11.根据权利要求10所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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