本公开实施例提供一种电连接结构及半导体封装结构，涉及半导体技术领域。该电连接结构包括第一布线层、第一介电层和第二布线层。第一布线层内具有第一传输结构；第一介电层设置在第一布线层上，且第一介电层内具有导电结构；导电结构与第一传输结构的最小间距大于零；第二布线层位于第一介电层上，且第二布线层内具有第二传输结构；第二传输结构位于导电结构上方，并与导电结构连接。本公开用于提高电连接结构的散热能力，相应地，导电结构还能降低第二传输结构的电阻，提高第二传输结构的信号传输能力，进而提高电连接结构信号传输的灵敏度。
【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种电连接结构及半导体封装结构。
技术介绍
1、随着电子工业的飞速发展，并且为了满足用户的需求，电子设备越来越小型化、多功能化且具有大容量，需要将多个半导体芯片封装在一起以形成半导体封装结构。因此，已经开发了使用电连接结构等结构来连接高度集成的半导体芯片的半导体封装结构。但是，半导体封装结构在运行过程中会产生大量的热量并积攒在电连接结构等结构内，影响半导体封装结构的性能。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本公开实施例提供一种电连接结构及半导体封装结构，用于提高电连接结构的散热速度，提高电连接结构的性能，进而提高半导体封装结构的性能。
2、本公开实施例的第一方面提供一种电连接结构，其包括：第一布线层，所述第一布线层内具有第一传输结构；
3、第一介电层，所述第一介电层设置在所述第一布线层上，且所述第一介电层内具有导电结构；所述导电结构与所述第一传输结构的最小间距大于零；
4、第二布线层，所述第二布线层位于所述第一介电层上，且所述第二布线层内具有第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电连接结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，其特征在于，所述导电结构仅与所述第二传输结构同时物理接触且电连接。
3.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构为多个，多个所述导电结构间隔设置在所述第一介电层内，各所述导电结构分别与所述第二传输结构连接。
4.根据权利要求3所述的电连接结构，其特征在于，至少部分所述导电结构形状相同。
5.根据权利要求4所述的电连接结构，其特征在于，各所述导电结构在所述第一布线层的正投影和所述第一传输结构的最小间距大于零。
>6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种电连接结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，其特征在于，所述导电结构仅与所述第二传输结构同时物理接触且电连接。
3.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构为多个，多个所述导电结构间隔设置在所述第一介电层内，各所述导电结构分别与所述第二传输结构连接。
4.根据权利要求3所述的电连接结构，其特征在于，至少部分所述导电结构形状相同。
5.根据权利要求4所述的电连接结构，其特征在于，各所述导电结构在所述第一布线层的正投影和所述第一传输结构的最小间距大于零。
6.根据权利要求1-5任一项所述的电连接结构，其特征在于，所述第二传输结构包括多条第一传输线和多条第二传输线；
7.根据权利要求6所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构与所述第一传输线和第二传输线的交点，沿垂直于所述第二布线层的方向排布。
8.根据权利要求7所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构包括沿垂直于所述第二布线层延伸的柱状结构，所述柱状结构靠近所述第二布线层的端部与所述第一传输线和所述第二传输线的交点连接。
9.根据权利要求7所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构包括沿所述第一方向或者沿所述第二方向延伸的条状结构。
10.根据权利要求7所述的电连接结构，其特征在于，所述导电结构包括沿所述第一方向延伸的第一导电条和沿所述第二方向延伸的第二导电条，所述第一导电条和所述第二导电条的交点，与所述第一传输线和所述第二传输线的交点沿垂直于所述第二布线层的方向排布。
11.根据权利要求10所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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