【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及半导体器件。
技术介绍
1、随着电子工业的飞速发展，并且为了满足用户的需求，电子设备越来越小型化、多功能化且具有大容量，需要将多个半导体芯片封装在一起以形成半导体器件。因此，高集成封装结构已经开发了使用中介层来连接位于不同高度的存储芯片和基板，基板向存储芯片提供电源以及各种信号，例如使能信号、控制信号等。
2、读操作是存储芯片的一种常见操作，利用灵敏放大器放大位线与互补位线之间的微弱电压差，从而读取存储单元中存储的数据。目前，由于器件尺寸的不断缩小，灵敏放大器的感测裕度变得越来越小，存储芯片的读取误码率较高。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本公开实施例提供一种半导体结构及半导体器件，用于提高存储芯片读操作准确性。
2、本公开实施例的第一方面提供一种半导体结构，其包括：基板；
3、抬高件，所述抬高件设置在所述基板上；
4、中介板，所述中介板包括主体部以及与所述主体部连接的弯折部，所述主体部设置在...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述弯折部包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述转折部包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻焊层的热膨胀系数小于所述转折层的热膨胀系数，所述第二阻焊层的热膨胀系数大于所述转折层的热膨胀系数。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第一模制层，所述第一模制层与所述第一阻焊层接触，且所述第一模制层的热膨胀系数小于所述第一阻焊层的热膨胀系数。
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述弯折部包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述转折部包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻焊层的热膨胀系数小于所述转折层的热膨胀系数，所述第二阻焊层的热膨胀系数大于所述转折层的热膨胀系数。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第一模制层，所述第一模制层与所述第一阻焊层接触，且所述第一模制层的热膨胀系数小于所述第一阻焊层的热膨胀系数。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第二模制层，所述第二模制层与所述第二阻焊层接触，且所述第二模制层的热膨胀系数大于所述第二阻焊层的热膨胀系数。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一模制层还与所述抬高件接触。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一模制层的热膨胀系数大于所述抬高件的热膨胀系数。
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述基板还通过引线连接所述弯折部以向所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：石宏龙，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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