【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及半导体器件。
技术介绍
1、随着电子工业的飞速发展，并且为了满足用户的需求，电子设备越来越小型化、多功能化且具有大容量，需要将多个半导体芯片封装在一起以形成半导体器件。因此，高集成封装结构已经开发了使用中介层来连接位于不同高度的存储芯片和基板，基板向存储芯片提供电源以及各种信号，例如使能信号、控制信号等。
2、读操作是存储芯片的一种常见操作，利用灵敏放大器放大位线与互补位线之间的微弱电压差，从而读取存储单元中存储的数据。目前，由于器件尺寸的不断缩小，灵敏放大器的感测裕度变得越来越小，存储芯片的读取误码率较高。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本公开实施例提供一种半导体结构及半导体器件，用于提高存储芯片读操作准确性。
2、本公开实施例的第一方面提供一种半导体结构，其包括：基板；
3、抬高件，所述抬高件设置在所述基板上；
4、中介板，所述中介板包括主体部以及与所述主体部连接的弯折部，所述主体部设置在所述抬高件上，所述弯折部朝向所述基板延伸；
5、第一芯片，所述第一芯片为存储芯片，设置在所述中介板上；
6、其中，所述基板通过引线连接所述弯折部以至少向所述第一芯片提供电源电压。
7、在一些实施例中，所述弯折部包括：
8、转折部，所述转折部的一端连接所述主体部；
9、延伸部，所述延伸部与所述转折部的另一端连接；
10、其中，所
11、在一些实施例中，所述转折部包括：
12、第一阻焊层；
13、转折层，所述转折层设置在所述第一阻焊层上；
14、第二阻焊层，所述第二阻焊层设置在所述转折层上；
15、其中，所述第一阻焊层的体积小于所述转折层的体积，所述转折层的体积小于所述第二阻焊层的体积。
16、在一些实施例中，所述第一阻焊层的热膨胀系数小于所述转折层的热膨胀系数，所述第二阻焊层的热膨胀系数大于所述转折层的热膨胀系数。
17、在一些实施例中，所述半导体结构还包括第一模制层，所述第一模制层与所述第一阻焊层接触，且所述第一模制层的热膨胀系数小于所述第一阻焊层的热膨胀系数。
18、在一些实施例中，所述半导体结构还包括第二模制层，所述第二模制层与所述第二阻焊层接触，且所述第二模制层的热膨胀系数大于所述第二阻焊层的热膨胀系数。
19、在一些实施例中，所述第一模制层还与所述抬高件接触。
20、在一些实施例中，所述第一模制层的热膨胀系数大于所述抬高件的热膨胀系数。
21、在一些实施例中，所述基板还通过引线连接所述弯折部以向所述第一芯片提供控制信号和/或使能信号。
22、在一些实施例中，所述抬高件包括一个第二芯片，所述第二芯片设置在所述基板上；所述基板向所述第二芯片提供电源电压，和/或控制信号，和/或使能信号。
23、在一些实施例中，所述抬高件包括多个第二芯片，多个所述第二芯片偏移且层叠设置在所述基板上，且位于最上层的所述第二芯片朝向所述延伸部的端部与所述延伸部接触；其中，所述基板向多个第二芯片提供电源电压，和/或控制信号，和/或使能信号。
24、在一些实施例中，所述主体部上设置有第一焊盘，所述弯折部上设置有第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘通过导电层连接；所述第一焊盘与所述第一芯片电连接，所述第二焊盘与所述引线连接。
25、在一些实施例中，所述半导体结构还包括第二模制层，所述第二模制层包覆所述主体部且暴露出所述第一焊盘。
26、在一些实施例中，所述基板朝向所述抬高件的一侧设置有第三焊盘，所述引线连接于第三焊盘；
27、所述第二焊盘凸出于所述弯折部，且所述第二焊盘的部分位于所述第三焊盘上。
28、本公开实施例的第二方面提供一种半导体器件，包括主板；和上述第一方面所述的半导体结构；
29、所述主板连接于所述半导体结构的所述基板，至少向所述基板提供电源电压。
30、本公开实施例所提供的半导体结构及半导体器件中，中介板包括主体部以及与主体部连接的弯折部，弯折部朝向基板延伸。如此设置，可以缩短弯折部与基板之间距离，进而可以缩短连接弯折部与基板之间的引线的长度，可避免存储芯片读操作过程中由于电源电压不足导致的灵敏放大器感测裕度过小，降低报错率，提高半导体结构的工作稳定性。
31、除了上面所描述的本公开实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本公开实施例提供的半导体结构及半导体器件所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述弯折部包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述转折部包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻焊层的热膨胀系数小于所述转折层的热膨胀系数，所述第二阻焊层的热膨胀系数大于所述转折层的热膨胀系数。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第一模制层，所述第一模制层与所述第一阻焊层接触，且所述第一模制层的热膨胀系数小于所述第一阻焊层的热膨胀系数。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第二模制层，所述第二模制层与所述第二阻焊层接触，且所述第二模制层的热膨胀系数大于所述第二阻焊层的热膨胀系数。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一模制层还与所述抬高件接触。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一模制层的热膨胀系数大于所述抬高件的热膨胀系数。
9.根据权利要求1-8任
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述抬高件包括一个第二芯片，所述第二芯片设置在所述基板上；所述基板向所述第二芯片提供电源电压，和/或控制信号，和/或使能信号。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述抬高件包括多个第二芯片，多个所述第二芯片偏移且层叠设置在所述基板上，且位于最上层的所述第二芯片朝向所述延伸部的端部与所述延伸部接触；其中，所述基板向多个所述第二芯片提供电源电压，和/或控制信号，和/或使能信号。
12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述主体部上设置有第一焊盘，所述弯折部上设置有第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘通过导电层连接；所述第一焊盘与所述第一芯片电连接，所述第二焊盘与所述引线连接。
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第二模制层，所述第二模制层包覆所述主体部且暴露出所述第一焊盘。
14.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述基板朝向所述抬高件的一侧设置有第三焊盘，所述引线连接于所述第三焊盘；
15.一种半导体器件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述弯折部包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述转折部包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻焊层的热膨胀系数小于所述转折层的热膨胀系数，所述第二阻焊层的热膨胀系数大于所述转折层的热膨胀系数。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第一模制层，所述第一模制层与所述第一阻焊层接触，且所述第一模制层的热膨胀系数小于所述第一阻焊层的热膨胀系数。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第二模制层，所述第二模制层与所述第二阻焊层接触，且所述第二模制层的热膨胀系数大于所述第二阻焊层的热膨胀系数。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一模制层还与所述抬高件接触。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一模制层的热膨胀系数大于所述抬高件的热膨胀系数。
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述基板还通过引线连接所述弯折部以向所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：石宏龙，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。