【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体存储装置以及控制方法。
技术介绍
1、在sram(static random access memory：静态随机存取存储器)等半导体存储装置中，在电路块为待机状态的情况下，通过切断电源来抑制消耗电流的技术是众所周知的。并且，在从该待机状态的恢复中存在的课题是峰值电流的增加。对此，通过进行对多个电路块按照时间序列来依次启动等控制，来抑制峰值电流的技术也是以往就有的(例如，参照专利文献1以及专利文献2)。
2、(现有技术文献)
3、(专利文献)
4、专利文献1：日本专利第5580751号公报
5、专利文献2：日本专利第6578413号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、在对多个电路块进行按时间序列来依次启动等控制的情况下，会担心控制的复杂化、或电路面积的增加等。
3、于是，本公开的目的在于提供一种既能够抑制峰值电流，又能够抑制伴随于此的控制的复杂化、或电路面积的增加的半导体存储装置以及控制方
4本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，具备：
2.如权利要求1所述的半导体存储装置，
3.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，
4.如权利要求3所述的半导体存储装置，
5.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，
6.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，
7.一种半导体存储装置，具备：
8.如权利要求7所述的半导体存储装置，
9.如权利要求7或8所述的半导体存储装置，
10.如权利要求9所述的半导体存储装置，
11.如权利要求7或8所述的半导体存储装置，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体存储装置，具备：
2.如权利要求1所述的半导体存储装置，
3.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，
4.如权利要求3所述的半导体存储装置，
5.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，
6.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，
7.一种半导体存储装置，具备：
8.如权利要求7所述的半导体存储装置，
9.如权利要求7或8所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：本谷笃志，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：
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