【技术实现步骤摘要】
本公开涉及但不限定于一种存储电路、存储芯片及存储器。
技术介绍
1、存储器是用于存储数据的器件，例如，dram(dynamic random accessing memory，动态随机存取器)、sram(static random accessing memory，静态随机存取器)、闪存等内部存储器件。
2、现有技术中，内部存储器中设置有存储电路，存储电路中设置有存储阵列，存储阵列中包括m行n列存储单元，每个存储单元用于存储一位数据，m和n均是大于1的整数。在对存储阵列的访问过程中，需要通过ras(row address strobe，行地址选通信号)确定要访问的存储单元所在的行。行地址选通单元可以对接收到ras进行译码得到中间译码结果，并将其发送给行地址译码器进行解码得到行地址编码，行地址编码即可确定要访问的存储单元所在的行。行地址选通单元和行地址译码器位于存储阵列的两侧，行地址选通单元和行地址译码器之间的连线需要绕到列地址译码器所在区域走线。
3、然而，上述走线方式存在走线较长，复杂度较高，列地址译码器所在区...
【技术保护点】
1.一种存储电路，其特征在于，包括：行地址选通单元、行地址译码器、第一存储阵列和第二存储阵列；
2.根据权利要求1所述的存储电路，其特征在于，所述第一存储阵列所在区域从下向上依次设置有多个金属层，部分所述金属层的走线方向与所述目标金属层的走线方向垂直。
3.根据权利要求2所述的存储电路，其特征在于，位于所述目标金属层相对两侧的相邻金属层的走线方向垂直于所述目标金属层的走线方向。
4.根据权利要求3所述的存储电路，其特征在于，所述第一存储阵列所在区域的多个金属层包括五个金属层，其中，第二金属层的走线方向和第四金属层的走线方向一致，第三...
【技术特征摘要】
1.一种存储电路，其特征在于，包括：行地址选通单元、行地址译码器、第一存储阵列和第二存储阵列；
2.根据权利要求1所述的存储电路，其特征在于，所述第一存储阵列所在区域从下向上依次设置有多个金属层，部分所述金属层的走线方向与所述目标金属层的走线方向垂直。
3.根据权利要求2所述的存储电路，其特征在于，位于所述目标金属层相对两侧的相邻金属层的走线方向垂直于所述目标金属层的走线方向。
4.根据权利要求3所述的存储电路，其特征在于，所述第一存储阵列所在区域的多个金属层包括五个金属层，其中，第二金属层的走线方向和第四金属层的走线方向一致，第三金属层的走线方向和第五金属层的走线方向均与所述第四金属层的走线方向垂直，所述目标金属层为所述第四金属层，所述第三金属层用于传输片选信号，所述第四金属层用于传输电源信号，所述第五金属层用于传输输入输出数据信号和电源信号。
5.根据权利要求4所述的存储电路，其特征在于，所述目标金属层的走线方向和所述存储电路中字线的延伸方向相同。
6.根据权利要求4所述的存储电路，其特征在于，所述第二存储阵列所在...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫玉玲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。