一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路、方法及装置制造方法及图纸

一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路、方法及装置，涉及电路设计领域。本发明专利技术主要思想为通过消除读取后的回写过程来降低FRAM的读取功耗同时提高FRAM的寿命，虽然读取后不进行回写会导致存储的数据遭到破坏，但如果该数据只需要被读取一次，那么就不用关心其是否会被破坏的问题了。本发明专利技术利用FRAM读取后会有回写过程以保持数据的特点，针对读取后必定会在相同位置重新写入的场景，设计了一种可以选择读取后无回写过程的FRAM电路，降低了读时间、读功耗，提高了FRAM的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路设计领域，具体涉及一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路、方法及装置。

技术介绍

1、铁电存储器(fram)作为一种新兴非易失存储器，具有掉电后仍然能够保存数据的能力，同时拥有读写速度高、静态功耗低、寿命高的特性。fram是基于铁电晶体的存储器，其存储过程为：外部电场施加在铁电晶体上，导致晶体中心原子移动并稳定在一种状态，方向不同的电场会使中心原子停留在不同的稳定状态，从而进行数据的存储；读取时通过对存储单元施加电场，并检测其充电波形来确定存储的数据。由于fram本身器件的原因导致在对fram进行读取后，有可能会导致fram存储单元的状态发生变化，进而使存储的数据遭到破坏，因此在对fram进行读取后通常会再进行一次回写过程，以恢复存储单元的状态。但对于一些读取完该位置数据后一定会在该位置写入新数据的场景来说，回写过程是不必要的，多余的回写过程不仅会导致读取速度的下降，还会导致铁电存储器耐久性的下降。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路、方法及装本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路，其特征在于，包括读写控制器模块、铁电存储器模块；读写控制器模块接收外部使能信号Readw_en，根据使能信号Readw_en的电平高低控制对铁电存储器模块的读写操作，铁电存储器模块为铁电存储器，负责提供非易失存储；读写操作的控制具体如下：

2.根据权利要求1所述的一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路，其特征在于，所述铁电存储器为2晶体管2电容2T2C结构。

3.一种选择读取后无回写过程的铁电存储器的方法，其特征在于，基于读写控制器模块与铁电存储器模块实现，读写控制器模块接收外部使能信号Readw_en，根据使能信号...

【技术特征摘要】

1.一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路，其特征在于，包括读写控制器模块、铁电存储器模块；读写控制器模块接收外部使能信号readw_en，根据使能信号readw_en的电平高低控制对铁电存储器模块的读写操作，铁电存储器模块为铁电存储器，负责提供非易失存储；读写操作的控制具体如下：

2.根据权利要求1所述的一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路，其特征在于，所述铁电存储器为2晶体管2电容2t2c结构。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：常亮，谢艾森，郝午阳，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：