【技术实现步骤摘要】
本申请涉及钽材料加工,具体涉及一种纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法及系统。
技术介绍
1、钽金属具有体心立方结构,其熔点高、密度高、硬度高、耐腐蚀以及富有延展性等,广泛应用于集成电路领域。在先进芯片集成技术中,特征尺寸的线宽更窄、层数更多成为主流趋势,然而线宽的降低与层数的增加会导致连接线的电阻增加,引起金属连接线的应力和电子的迁移,对电路的可靠性产生严重影响。因此,传统的al/ti阻挡层体系不能满足新一代集成电路制造要求,而熔点更高、电阻率更低的cu/ta阻挡层体系得到了广泛使用。
2、在集成电路中,高纯钽作为铜金属与硅基板的理想阻挡层材料,可防止cu原子向存储单元si扩散并形成化合物而影响集成电路的性能。为了获得厚度均匀、性能好的的钽阻挡层薄膜,控制溅射靶材组织和织构的均匀性尤其重要。然而,钽是高层错能金属,其在变形时滑移系开动的条件更为困难。其表现在,具有一定厚度的钽质板材在轧制时,其表面到心部所受的力的大小和方向有差异,会引起板材内部不同区域的滑移系开动有所区别,因此导致不同区域的晶粒破碎和旋转状况有所差异,最终
...【技术保护点】
1.一种纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法,其特征在于,S1包括:
3.根据权利要求2所述的纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法,其特征在于,所述模拟盒子在x、y、z方向的尺寸分别为200、100和100nm,所述晶粒数为20个。
4.根据权利要求1所述的纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法,其特征在于,S2包括:
5.根据权利要求4所述的纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法,其特征在于,所述势函数包括EAM势函数和LJ势函数;
< ...【技术特征摘要】
1.一种纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法,其特征在于,s1包括:
3.根据权利要求2所述的纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法,其特征在于,所述模拟盒子在x、y、z方向的尺寸分别为200、100和100nm,所述晶粒数为20个。
4.根据权利要求1所述的纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法,其特征在于,s2包括:
5.根据权利要求4所述的纯钽材料轧制过程的分子动力学模拟方法,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:王爱娟,李兆博,葛栋梁,齐萌,汪凯,赵佩,王佳乐,
申请(专利权)人:宁夏东方钽业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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