【技术实现步骤摘要】
本公开涉及微机电系统(mems)器件的领域，并且更具体地涉及在惯性测量单元(imu)mems器件的制造中使用嵌入的可渗透多晶硅层(permeable polysilicon layer)来使多个仪器包含被保持处于不同压力的腔。
技术介绍
1、惯性测量单元(imu)是这样的电子器件，该电子器件包括加速度计和陀螺仪两者，并且将它们的输出组合在一起来提供imu被并入的主体的相关加速度和角速度数据。微机电系统(mems)器件是微尺度的移动器件，由尺寸在1μm与100μm之间的部件形成，其中mems器件本身的尺寸通常在20μm与1mm之间的范围内。众所周知，imu可以使用mems技术形成，并且这样的memsimu包含至少一个加速度计和至少一个陀螺仪。
2、针对mems加速度计的理想操作条件与针对mems陀螺仪的理想操作条件不同，例如，针对mems加速度计的理想操作压力可能是约100mbar，而针对mems陀螺仪的理想操作压力可能是约0.1mbar至10mbar。为了适应这一点，memsimu将其加速度计和陀螺仪定位在被保持处于不同压力
【技术保护点】
1.一种形成封装件的方法，所述封装件包括第一仪器和第二仪器，所述第一仪器被定位在第一腔内，所述第一腔被保持处于第一压力，所述第二仪器被定位在第二腔内，所述第二腔被保持处于第二压力，所述第二压力与所述第一压力不同，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化物层是热氧化层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述可渗透层包括可渗透的多晶硅材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体层包括二氧化硅SiO2。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层包括氧化铝或者氮化硅。
6.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种形成封装件的方法，所述封装件包括第一仪器和第二仪器，所述第一仪器被定位在第一腔内，所述第一腔被保持处于第一压力，所述第二仪器被定位在第二腔内，所述第二腔被保持处于第二压力，所述第二压力与所述第一压力不同，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化物层是热氧化层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述可渗透层包括可渗透的多晶硅材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体层包括二氧化硅sio2。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层包括氧化铝或者氮化硅。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层包括二氧化硅sio2。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构层由多晶硅形成。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一仪器是加速度计，并且所述第二仪器是陀螺仪；并且其中所述第二压力小于所述第一压力。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述盖晶片到所述结构层的所述键合通过玻璃熔块键合、共晶alge或者au键合而被执行。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括：在沉积所述牺牲层之前，在所述阻挡层上形成流道层，以创建互连层；其中所述牺牲层还被沉积在所述流道层上方；其中所述流道层还与所述牺牲层和所述绝缘体层一起被蚀刻，以暴露所述可渗透层的所述部分；其中所述结构层还被形成在所述流道层的暴露部分上方；其中所述第一腔还通过所述流道层的部分被密封；其中所述第二腔还通过所述流道层的...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·韦尔切西，A·诺梅尔里尼，P·菲拉里，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
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