MEMS器件及其制备方法技术

本申请实施例涉及一种MEMS器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括背腔预设区；在衬底上形成第一牺牲层；形成贯穿第一牺牲层的开口，开口暴露出衬底的部分区域，部分区域位于背腔预设区外周；形成连接结构和振膜，连接结构填充于开口内并与衬底直接接触，振膜位于第一牺牲层上并与连接结构直接接触；去除部分衬底，以在背腔预设区形成背腔；以及，去除至少部分第一牺牲层，以形成下空腔，下空腔暴露振膜的朝向衬底的表面，且与背腔连通；其中，衬底的导电类型、连接结构的导电类型、以及振膜的导电类型一致，以使衬底与振膜能够导通。由此，去除牺牲层过程中产生的自由电荷在进入振膜后，可以通过连接结构转移至衬底中，避免大量自由电荷堆积在振膜中，减少电化学反应的发生，减少对振膜的损伤。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别是涉及一种mems器件及其制备方法。

技术介绍

1、在现有的mems(micro-electro-mechanical system，微机电系统)器件的加工工艺中，具体例如mems麦克风的加工工艺中，通常需要利用湿法刻蚀工艺对牺牲层进行释放来完成器件中空腔结构的制备。在执行湿法刻蚀工艺的过程中，刻蚀液与振膜接触易发生电化学反应，对振膜造成损伤，甚至对振膜上有开孔的位置造成过刻蚀，使得开孔的尺寸增大，继而造成器件频率响应失效和可靠性失效。

2、由此，如何避免刻蚀液对振膜造成损伤，成为本领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种mems器件及其制备方法。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种mems器件的制备方法，包括：

3、提供衬底，所述衬底包括背腔预设区；

4、在所述衬底上形成第一牺牲层；

5、形成贯穿所述第一牺牲层的开口，所述开口暴露出所述衬底的部分区域，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述提供衬底，包括：

3.根据权利要求1所述的MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述提供衬底，包括：提供表层具有掺杂区的衬底，所述掺杂区的掺杂浓度大于所述衬底的其他部分的掺杂浓度；

4.根据权利要求1所述的MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述衬底还包括位于所述背腔预设区外周的切割道区；所述制备方法还包括：

5.根据权利要求4所述的MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述开口与所述切割道口连通；所述连接结构在所述衬底表面延伸至...

【技术特征摘要】

1.一种mems器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的mems器件的制备方法，其特征在于，所述提供衬底，包括：

3.根据权利要求1所述的mems器件的制备方法，其特征在于，所述提供衬底，包括：提供表层具有掺杂区的衬底，所述掺杂区的掺杂浓度大于所述衬底的其他部分的掺杂浓度；

4.根据权利要求1所述的mems器件的制备方法，其特征在于，所述衬底还包括位于所述背腔预设区外周的切割道区；所述制备方法还包括：

5.根据权利要求4所述的mems器件的制备方法，其特征在于，所述开口与所述切割道口连通；所述连接结构在所述衬底表面延伸至所述切割道区。

6.根据权利要求1所述的mems器件的制备方法，其特征在于，所述形成连接结构和振膜，包括：在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐泽洋，鲁列微，隋欢，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：