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本申请实施例涉及一种MEMS器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括背腔预设区；在衬底上形成第一牺牲层；形成贯穿第一牺牲层的开口，开口暴露出衬底的部分区域，部分区域位于背腔预设区外周；形成连接结构和振膜，连接结构填充于开口内并与衬底直接接...
该专利属于芯联集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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