半导体结构及其制造方法技术

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底和位于所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括在垂直方向上交替堆叠设置的第一绝缘层和半导体层，所述叠层结构具有第一区域；刻蚀去除所述第一区域的部分所述叠层结构至所述衬底，以形成多个间隔排布的第一沟槽和位于所述第一沟槽之间的多个第一台阶区域；于所述第一沟槽内形成第二绝缘层；沿所述垂直方向刻蚀多个所述第一台阶区域的叠层结构，以形成第一台阶结构；在所述第一台阶结构顶部形成导电层；去除所述导电层下方的所述半导体层。根据本公开实施例的半导体结构及其制造方法，能够减小电阻电容延迟问题，提高半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，具体涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

1、传统结构的dram的缩放已逼近极限，为了进一步地提高dram的集成密度，发展新颖的3d dram结构十分重要。在新的3d结构下，引线需要通过台阶结构连接而出。相关技术的台阶结构，引线所连接的台阶结构中的金属层面积大小不一，从而导致rc延迟，影响半导体结构的性能。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种半导体结构及其制造方法，能够减小电阻电容延迟问题，提高半导体结构的性能。

2、根据本公开实施例的半导体结构的制造方法，包括：提供衬底和位于所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括在垂直方向上交替堆叠设置的第一绝缘层和半导体层，所述叠层结构具有第一区域；刻蚀去除所述第一区域的部分所述叠层结构至所述衬底，以形成多个间隔排布的第一沟槽和位于所述第一沟槽之间的多个第一台阶区域；于所述第一沟槽内形成第二绝缘层；沿所述垂直方向刻蚀多个所述第一台阶区域的叠层结构，以形成第一台阶结构；在所述第一台阶结构顶部形成导电层；去除所述导电层下方的所述半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，多个所述第一台阶区域沿水平方向依次为第1台阶区域至第N台阶区域；沿所述垂直方向刻蚀多个所述第一台阶区域的叠层结构，以形成第一台阶结构，包括：

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体层为硅层，提供衬底和位于所述衬底上的叠层结构的步骤包括：

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，刻蚀去除所述第一区域的部分所述叠层结构至所述衬底，包括：

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，多个所述第一台阶区域沿水平方向依次为第1台阶区域至第n台阶区域；沿所述垂直方向刻蚀多个所述第一台阶区域的叠层结构，以形成第一台阶结构，包括：

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体层为硅层，提供衬底和位于所述衬底上的叠层结构的步骤包括：

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，刻蚀去除所述第一区域的部分所述叠层结构至所述衬底，包括：

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述叠层结构还包括与所述第一区域邻接的第二区域，沿所述垂直方向刻蚀多个所述第一台阶区域的叠层结构的步骤包括：

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，以所述掩膜层为掩膜沿所述垂直方向依次刻蚀所述第一台阶区域的步骤包括：

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，沿所述垂直方向刻蚀多个所述第一台阶区域的叠层结构的步骤包括：刻蚀各所述第一台阶区域的叠层结构中至少一层所述第一绝缘层和所述半导体层至暴露目标半导体层表面停止。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述第一台阶结构顶部形成导电层的步骤包括：于所述第一台阶结构的表面沉积形成所述导电层。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体层为硅层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王弘，李晓杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：