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本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底和位于所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括在垂直方向上交替堆叠设置的第一绝缘层和半导体层，所述叠层结构具有第一区域；刻蚀去除所述第一区域的部分所述叠层结构至所述衬底，以形成...
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