【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。
技术介绍
1、存储器因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。
2、存储节点接触塞是存储器的重要部件之一，在存储节点接触塞制程过程中，易对位线结构表面的隔离层造成损伤，引发结构缺陷，导致存储节点接触件与位线结构之间以及相邻的存储节点接触件之间易发生短路，产品良率较低。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法、存储器，可降低短路风险，提高产品良率。
2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
3、提供初始半导体结构，所述初始半导体结构包括衬底以及位于所述衬底上的初始位线结构，所述衬底包括有源区，所述有源区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述初...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述初始位线隔离结构在所述衬底上的正投影位于所述保护层在所述衬底上的正投影之内。
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在去除所述牺牲层之前，所述形成方法还包括：
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述初始位线结构，包括：
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一接触窗口露出所述第二掺杂区的表面，在所述第一接触窗口内形成导电接触结构，包括：
6.根据权利要求5所述的形成方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述初始位线隔离结构在所述衬底上的正投影位于所述保护层在所述衬底上的正投影之内。
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在去除所述牺牲层之前，所述形成方法还包括：
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述初始位线结构，包括：
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一接触窗口露出所述第二掺杂区的表面，在所述第一接触窗口内形成导电接触结构，包括：
6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述第二接触窗口内形成所述导电接触结构，包括：
7.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的材料与所述第三隔离层的材料相同，所述第三隔离层的材料与所述第二隔离层的材料不同。
8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述有源区包括两个所述第二掺杂区，所述第一掺杂区位于两个所述第二掺杂区之间，每个所述第二掺杂区分别对应形成一个所述第一接触窗口，对应于两个所述第二掺杂区的两个所述第一接触窗口分别位于所述中间位线结构的两侧。
9.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述牺牲层进行蚀刻，以形成露出所述初始位线隔离结构的顶部的开口，包括：
10.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述开口中形成保护层，包括：
11.一种半导体结构，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述目标位线隔离结构的第一部分和第二部分的剖...
【专利技术属性】
技术研发人员：周刘涛，潘烁，张启强，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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