【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例涉及一种半导体装置。更具体地说，本公开的示例实施例涉及一种包括竖直沟道的存储器装置。
技术介绍
1、为了提高半导体装置的集成度，已经开发了包括竖直沟道晶体管的存储器装置，并且最近，氧化物半导体材料已经用于竖直沟道晶体管的沟道中。需要一种减小包括氧化物半导体材料的沟道与包括金属的接触插塞之间的接触电阻且将电信号施加到所述沟道的方法。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种具有改进的特性的半导体装置。
2、根据示例实施例，一种半导体装置可以包括位线、栅电极、栅极绝缘图案、沟道、氧化物半导体图案和接触插塞。位线可以在衬底上。栅电极可以在位线上。栅极绝缘图案可以在栅电极的侧壁上。沟道可以接触位线的上表面和栅极绝缘图案的侧壁，并且可以包括非晶氧化物半导体材料。氧化物半导体图案可以接触沟道的上侧壁，并且可以包括结晶氧化物半导体材料。接触插塞可以接触沟道的顶表面和氧化物半导体图案的上表面。
3、根据示例实施例，一种半导体装置可以包括位线、栅电极、栅极绝缘图案、沟...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触插塞的侧壁与所述氧化物半导体图案的侧壁在实质上垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此对齐。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道的上表面与所述氧化物半导体图案的上表面实质上共面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘图案的顶表面距所述衬底的上表面的距离大于所述沟道的顶表面距所述衬底的上表面的距离。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘图案在所述栅电极与所述沟道之间。
6.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触插塞的侧壁与所述氧化物半导体图案的侧壁在实质上垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此对齐。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道的上表面与所述氧化物半导体图案的上表面实质上共面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘图案的顶表面距所述衬底的上表面的距离大于所述沟道的顶表面距所述衬底的上表面的距离。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘图案在所述栅电极与所述沟道之间。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘图案在所述栅电极的下表面上。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括在所述栅电极和所述接触插塞之间的绝缘图案，其中，所述绝缘图案将所述栅电极和所述接触插塞彼此分开。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述绝缘图案在所述栅电极的另一侧壁、所述栅极绝缘图案的另一侧壁、以及所述沟道的与所述位线的上表面接触的部分的上表面上。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述绝缘图案在所述栅电极的另一侧壁上以及所述栅极绝缘图案的与所述沟道的上表面的一部分接触的部分的上表面上。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括所述接触插塞上的电容器。
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