温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体装置，包括：在衬底上的位线；在位线上的栅电极；在栅电极的侧壁上的栅极绝缘图案；接触位线的上表面和栅极绝缘图案的侧壁的沟道；接触沟道的上侧壁的氧化物半导体图案；以及接触沟道的上表面和氧化物半导体图案的上表面的接触插塞。沟道包括非晶氧...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。