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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。本公开的形成方法包括：提供包括衬底以及初始位线结构的初始半导体结构，衬底包括第一掺杂区和第二掺杂区，初始位线结构包括位线导电结构和初始位线隔离结构，位线导电结构与第一掺杂区...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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