【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件，具体涉及一种t型绝缘层碳化硅槽栅mosfet功率器件及其制造方法。
技术介绍
1、作为第三代半导体材料的代表，sic具有较大的禁带宽度、较高的电子饱和漂移速度、较强的抗辐照能力、更高的击穿电场和热导率，使其在电力电子设备、宇航系统、高铁牵引设备、军事电子通讯系统等领域有着广泛的应用前景。以平面栅结构为主的sic mosfet功率器件已实现商业化，所占有的市场份额也在不断扩大中。然而，平面栅型sic mosfet功率器件的沟道迁移率较低，且存在jfet区电阻，这两点对器件导通特性有着较为显著的负面影响。
2、相比平面栅型sic mosfet器件，沟槽栅型sic mosfet器件通过在沟槽侧壁形成沟道，既提高了沟道迁移率，又消除了jfet效应，显著减小了器件导通电阻，同时缩小了元胞尺寸，增大了功率密度。
3、然而沟槽型sic mosfet器件的栅氧化层质量是限制商业化生产的关键因素。sic材料各个晶面的氧化速率具备各向异性，这使得热氧工艺中，沟槽侧壁的栅介质厚度是沟槽底部栅介质厚度的3~4倍...
【技术保护点】
1.一种T型绝缘层碳化硅槽栅MOSFET功率器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种T型绝缘层碳化硅槽栅MOSFET功率器件的制造方法，其特征在于，T型绝缘层的形成包括：第一绝缘层通过热氧化工艺形成于上台面的侧壁，第二绝缘层通过热氧化工艺形成于下台面的侧壁，第三绝缘层通过化学气相沉积工艺形成于第二绝缘层之上、第一绝缘层之间。
3.根据权利要求2所述的一种T型绝缘层碳化硅槽栅MOSFET功率器件的制造方法，其特征在于，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层的材料为SiO2。
4.根据权利要求1所述的一种T型...
【技术特征摘要】
1.一种t型绝缘层碳化硅槽栅mosfet功率器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种t型绝缘层碳化硅槽栅mosfet功率器件的制造方法，其特征在于，t型绝缘层的形成包括：第一绝缘层通过热氧化工艺形成于上台面的侧壁，第二绝缘层通过热氧化工艺形成于下台面的侧壁，第三绝缘层通过化学气相沉积工艺形成于第二绝缘层之上、第一绝缘层之间。
3.根据权利要求2所述的一种t型绝缘层碳化硅槽栅mosfet功率器件的制造方法，其特征在于，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层的材料为sio2。
4.根据权利要求1所述的一种t型绝缘层碳化硅槽栅mosfet功率器件的制造方法，其特征在于，t型绝缘层的形成包括：第一绝缘层通过热氧化工艺形成于上台面的侧壁，第二绝缘层通过热氧化工艺形成于下台面的侧壁，中间层通过化学气相沉积工艺形成于第二绝缘层之上、第一绝缘层之间，第三绝缘层通过热氧化工艺形成于中间层之上、第一绝缘层之间。
5.根据权利要求4所述的一种t型绝缘层碳化硅槽栅mosfet功率器件的制造方法，其特征在于，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层的材料为sio2，中间层的材料为多晶硅。
6.根据权利要求1所述的一种t型绝缘层碳化硅槽栅mosfet功率器件的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：张跃，黄润华，柏松，张腾，陈谷然，杨勇，
申请(专利权)人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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