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本发明公开了一种T型绝缘层碳化硅槽栅MOSFET功率器件及其制造方法，方法包括：在碳化硅衬底之上形成第一导电类型碳化硅外延层；形成第二导电类型阱区与第一导电类型源区；形成贯穿第二导电类型阱区和第一导电类型源区的上台面以及与上台面相连通的下台...
该专利属于南京第三代半导体技术创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京第三代半导体技术创新中心有限公司授权不得商用。

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