一种体声波滤波器谐振空腔的制备方法技术

技术编号:42010019 阅读:33 留言:0更新日期:2024-07-12 12:29
本申请提供了一种体声波滤波器谐振空腔的制备方法,该制备方法包括:形成压电层组;提供衬底;在所述压电层组与所述衬底之间键合高分子薄膜以形成高分子薄膜隔离层,其中,所述高分子薄膜上预设有通孔,键合完成后在所述通孔处形成由所述高分子薄膜隔离层、所述压电层组和所述衬底共同围绕形成的谐振空腔。本申请方案摒弃了现有技术中先沉积USG/PSG再挖洞沉积POLY/SIN的传统方案,而是采用键合高分子薄膜隔离层的方式来形成谐振空腔,可有效提高产品品质和良率,并能够降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件,尤其涉及一种体声波滤波器谐振空腔的制备方法


技术介绍

1、本部分旨在为本申请的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就被认为是现有技术。

2、baw(bulk acoustic wave,体声波) 滤波器是一种基于压电效应的滤波器,通常用于无线通信、射频和微波领域,其工作原理是利用压电晶体的压电特性,将电信号转换为机械振动信号,然后再将机械振动信号转换为电信号,实现对不同频率信号的滤波作用。

3、谐振空腔是体声波滤波器的重要组成部分,请参考图1所示的现有技术所提供的体声波谐振器谐振空腔的横截面示意图,现有技术中制备体声波谐振器的传统方案是:首先在衬底上沉积形成硅酸盐usg(undoped silicate glass,无掺杂的硅酸盐玻璃)或psg(phosphosilicate glass,磷酸盐玻璃),然后在usg/psg上刻蚀形成空腔,为了提高隔离效果,在形成空腔后,还需要在空腔内沉积一层poly(多晶硅)或sin(氮化硅),这种传统方案至少存在如下问题:

>4、1)、poly本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种体声波滤波器谐振空腔的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的体声波滤波器谐振空腔的制备方法,其特征在于,所述在所述压电层组与所述衬底之间键合高分子薄膜以形成高分子薄膜隔离层,包括:

3.根据权利要求2所述的体声波滤波器谐振空腔的制备方法,其特征在于,所述形成压电层组,包括:

4.根据权利要求3所述的体声波滤波器谐振空腔的制备方法,其特征在于,所述压电层组包括:第一电极层、压电层和第二电极层;

5.根据权利要求4所述的体声波滤波器谐振空腔的制备方法,其特征在于,所述基于所述压电层组键合高分子薄膜以形成高分子薄膜隔离层,...

【技术特征摘要】

1.一种体声波滤波器谐振空腔的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的体声波滤波器谐振空腔的制备方法,其特征在于,所述在所述压电层组与所述衬底之间键合高分子薄膜以形成高分子薄膜隔离层,包括:

3.根据权利要求2所述的体声波滤波器谐振空腔的制备方法,其特征在于,所述形成压电层组,包括:

4.根据权利要求3所述的体声波滤波器谐振空腔的制备方法,其特征在于,所述压电层组包括:第一电极层、压电层和第二电极层;

5.根据权利要求4所述的体声波滤波器谐振空腔的制备方法,其特征在于,所述基于所述压电层组键合高分子薄膜以形成高分子薄膜隔离层,包括:

6.根据权利要求4所述的体声波滤波器谐振空腔的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员:王友良冯端邹洁
申请(专利权)人:深圳新声半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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