【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、在互补金属氧化物半导体场效应晶体管（complementary metal oxidesemiconductor field effect transistor，简称cmos）的制备过程中，在阱区注入掺杂离子之前，需要先在有源区上生长牺牲氧化层，在光阻层的阻挡下在相应区域注入掺杂离子，之后去除光阻层和牺牲氧化层并进行清洁，以生长低压栅极氧化层和中压栅极氧化层。
2、但是在去酸洗除光阻层和牺牲氧化层时，不可避免的会损伤与光阻层接触的高压区域的栅极氧化层，进而影响器件效率，这就为cmos的制备提出了挑战。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，在精简工艺制程的同时，避免高压栅极氧化层受到损伤，提高器件的良率。
2、为了解决上述技术问题及其他问题，根据一些实施例，本公开的一方面提供了一种半导体结构的制备方法，包括：
3、提供...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二区域的所述外延层内包括沿所述第一方向依次分布的第三掺杂区、一所述第一隔离结构及第四掺杂区。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述至少以所述图形化掩膜层为阻挡层向所述第一区域分别执行两次离子注入工艺，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述至少以所述图形化掩膜层为阻挡层向所述第一区域分别执行两次离子注入工艺，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二区域的所述外延层内包括沿所述第一方向依次分布的第三掺杂区、一所述第一隔离结构及第四掺杂区。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述至少以所述图形化掩膜层为阻挡层向所述第一区域分别执行两次离子注入工艺，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述至少以所述图形化掩膜层为阻挡层向所述第一区域分别执行两次离子注入工艺，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在去除所述第二图形化光刻胶层的过程中，去除所述图形化掩膜层。
6.根据权利要求2-5任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一区域包括沿所述第一方向分布的第一子区域、第二子区域，所述第一子区域包括沿所述第一方向依次分布的所述第一掺杂区、一所述第一隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜琪，叶蕾，杨凯，黄永彬，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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