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本公开涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，半导体结构的制备方法包括提供衬底，衬底上包括外延层，外延层内包括沿平行于衬底的第一方向间隔分布的多个第一隔离结构；外延层上包括图形化掩膜层，及位于图形化掩膜层、外延层之间的介质层；图形化掩膜层...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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