【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及包含双深度漏极选择层级隔离结构的三维存储器器件及其制作方法。
技术介绍
1、三维存储器器件可包括存储器堆叠结构。存储器堆叠结构延伸穿过绝缘层和导电层的交替堆叠。存储器堆叠结构包括设置在导电层的层级处的存储器元件的竖直堆叠。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠由第一背侧沟槽填充结构和第二背侧沟槽填充结构横向界定，其中该导电层从底部到顶部包括字线层级导电层、虚设导电层和漏极选择层级导电层，该漏极选择层级导电层包括由复合漏极选择层级隔离结构横向间隔开的相应多个漏极选择层级导电条带；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过所述交替堆叠；以及存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构定位在该存储器开口中的相应存储器开口内并且包括相应竖直半导体沟道以及存储器元件的相应竖直堆叠，其中该复合漏极选择层级隔离结构中的每个复合漏极选择层级隔离结构包括：相应第一漏极选择层级隔离材料部分...
【技术保护点】
1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中至少所述最顶部虚设导电层包括虚设导电条带，所述虚设导电条带由所述第二漏极选择层级隔离材料部分横向分离，并且通过位于所述相应第一漏极选择层级隔离材料部分下面的至少一个相应导电连接部分彼此互连。
3.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述第一背侧沟槽填充结构和所述第二背侧沟槽填充结构从所述交替堆叠的最底部层竖直延伸到所述交替堆叠的最顶部层，沿第一水平方向横向延伸，并且沿第二水平方向彼此横向间隔开。
4.根据权利要求3所述的三维存储器器件，
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中至少所述最顶部虚设导电层包括虚设导电条带，所述虚设导电条带由所述第二漏极选择层级隔离材料部分横向分离，并且通过位于所述相应第一漏极选择层级隔离材料部分下面的至少一个相应导电连接部分彼此互连。
3.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述第一背侧沟槽填充结构和所述第二背侧沟槽填充结构从所述交替堆叠的最底部层竖直延伸到所述交替堆叠的最顶部层，沿第一水平方向横向延伸，并且沿第二水平方向彼此横向间隔开。
4.根据权利要求3所述的三维存储器器件，其中：
5.根据权利要求3所述的三维存储器器件，其中所述第二漏极选择层级隔离材料部分的邻接所述第一漏极选择层级隔离材料部分中的相应第一漏极选择层级隔离材料部分的段具有沿所述第一水平方向横向延伸的一对纵向侧壁段。
6.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
7.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
8.根据权利要求1所述的三维存储器器件，还包括第一支撑柱结构，所述第一支撑柱结构竖直延伸穿过所述字线层级导电层和所述虚设导电层中的每一者，并且突出到所述第一漏极选择层级隔离材料部分中的一个第一漏极选择层级隔离材料部分中。
9.根据权利要求8所述的三维存储器器件，其中所述第一支撑柱结构的最顶部表面具有凸面形状，并且定位在包括所述第一漏极选择层级隔离材料部分的顶部表面的水平平面下方以及包括所述第一漏极选择层级隔离材料部分的底部表面的水平平面上方。
10.根据权利要求9所述的三维存储器器件，还包括第二支撑柱结构，所述第二支撑柱结构竖直延伸穿过所述字线层级导电层中的每个字线层级导电层，并且具有定位在包括所述虚设导电层中的最顶部虚设导电层的底部表面的水平平面下方的顶部表面。
11.根据权利要求10所述的三维存储器器件，其中所述第二支撑柱结构的最顶部表面在水平平面内接触所述第二漏极选择层级隔离材料部分中的一个第...
【专利技术属性】
技术研发人员：飞冈晃洋，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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