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一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠；以及存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构定位在该存储器开口中的相应存储器开口内。复合漏极选择层级隔离结构将每个漏极选择层级导电层分成相应多...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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