【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体生成装置。
技术介绍
1、在半导体器件的一个制造工序中,有时进行以下的基板处理,即,将基板运入基板处理装置的处理室内,使用等离子体使供给到处理室内的原料气体、反应气体等处理气体活化,在基板上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜,或除去各种膜。为了促进堆积的薄膜的反应,或从薄膜除去杂质,或者辅助成膜原料的化学反应等,而使用等离子体(例如参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特开2015-92637号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、但是,在使用多个高频电源进行等离子体生成的处理装置中,各个高频电源的频率的差会相互干扰而成为噪声,因此有时无法进行稳定的等离子体生成。
3、本专利技术的目的在于:提供即使在使用多个高频电源进行等离子体生成的情况下也能够进行稳定的等离子体生成的技术。
4、解决问题的方案
5、根据本专利技术的一个实施例,提供以下的
...【技术保护点】
1.一种等离子体生成装置,其特征在于,具备:
【技术特征摘要】
1.一种等离子体生成装...
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