降低电压的LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及LED芯片技术领域，具体涉及降低电压的LED芯片及其制备方法。降低电压的LED芯片包括衬底，所述衬底上设置有外延片，所述外延片上镀膜TiN层及ITO透明导电层，所述TiN层及ITO透明导电层与P‑GaN层表明形成欧姆接触，实现了ITO和GaN更好的欧姆接触降低电阻和工作电压，减少ITO在直流磁控溅射中对P‑GaN表面离子轰击造成的破坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及led芯片，具体涉及降低电压的led芯片及其制备方法。

技术介绍

1、在当前的半导体光电器件技术中，发光二极管(led)以其体积小、功率低、亮度高、使用寿命长以及安全环保等显著优点，在照明领域得到了广泛的应用。在led器件的制备过程中，p-gan通常作为出光面，其上方沉积的金属层则用作电极。然而，由于半导体材料的载流子浓度较低，导致导电性能不佳，电流不能有效扩展，这极大地限制了led的出光效率。

2、为提高led的出光效率，研究者们致力于在出光面和电极之间引入一种导电性好且透光性高的薄膜材料。氧化铟锡(ito)正是这样一种理想的材料。ito不仅具有高电导率和高可见光区透过率，还表现出良好的化学稳定性和高附着性，同时便于图形加工，因此在半导体光电器件中得到了广泛的应用。在gan led的现有情况中，ito因其卓越的性能被用作导电且透光的薄膜材料，旨在提高led的出光效率。通过将ito薄膜沉积在p-gan出光面和金属电极之间，可以有效改善电流扩展问题，同时保持高透光性，从而显著提高led的性能。公开号为：cn112510132a公开了本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低电压的LED芯片，包括衬底(1)，所述衬底(1)上设置有外延片，其特征在于，所述外延片上镀膜TiN层(5)及ITO透明导电层(6)，所述TiN层(5)及ITO透明导电层(6)与P-GaN层(4)表面形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述降低电压的LED芯片，其特征在于，所述外延片为GaN基外延片，外延片包括衬底(1)上依次沉积的N-GaN层(2)、MQW层(3)及P-GaN层(4)，所述P-GaN层(4)上镀有所述TiN层(5)。

3.根据权利要求1所述降低电压的LED芯片，其特征在于，还包括芯片表面设置的钝化绝缘层(7)，所述钝化绝缘层(7)上刻蚀裸...

【技术特征摘要】

1.一种降低电压的led芯片，包括衬底(1)，所述衬底(1)上设置有外延片，其特征在于，所述外延片上镀膜tin层(5)及ito透明导电层(6)，所述tin层(5)及ito透明导电层(6)与p-gan层(4)表面形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述降低电压的led芯片，其特征在于，所述外延片为gan基外延片，外延片包括衬底(1)上依次沉积的n-gan层(2)、mqw层(3)及p-gan层(4)，所述p-gan层(4)上镀有所述tin层(5)。

3.根据权利要求1所述降低电压的led芯片，其特征在于，还包括芯片表面设置的钝化绝缘层(7)，所述钝化绝缘层(7)上刻蚀裸露出p电极(8)及n电极(9)，所述p电极(8)连接ito透明导电层(6)，所述n电极(9)连接所述n-gan层(2)。

4.根据权利要求3所述降低电压的led芯片，其特征在于，所述p电极(8)及n电极(9)的电极组成均包括cr-a...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚金龙，朱帅，
申请(专利权)人：湖南蓝芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：