【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体温控设备及温控方法。
技术介绍
1、随着先进工艺制程的发展，越先进的制程要求刻蚀深宽比越大，高深宽比蚀刻需引入低温蚀刻技术来满足工艺需求，应用于先进制程的半导体专用温控设备应能够提供足够低的温度区间。
2、部分工艺中对于温控设备的温度需求从-60℃、-70℃变化到-100℃、-110℃，温控设备在满足低温的同时，也需要较强的制冷能力，设备在满足宽温区范围、较高的空载负载温控精度、快速升降温等不同应用工况的使用条件下，还需要保证长期运行的可靠性，从而保证制程良率的提升，然而现有半导体温控设备在低温工况下的制冷能力不佳。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种半导体温控设备，用于解决现有半导体温控设备低温工况下制冷能力不佳的技术缺陷。
2、本专利技术还提出一种用于半导体温控设备的温控方法。
3、根据本专利技术第一方面实施例的半导体温控设备，包括：
...
【技术保护点】
1.一种半导体温控设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体温控设备，其特征在于，所述回热器组件包括第一回热器和第二回热器，所述高温级制冷系统包括依次设置的第一压缩机、冷凝器和第一蒸发冷凝器，所述第一压缩机和所述第一蒸发冷凝器之间设置有所述第一回热器；
3.根据权利要求2所述的半导体温控设备，其特征在于，所述高温级制冷系统设置有第一主路、第一冷旁通路和第一热旁通路，所述第一回热器设置于所述第一主路，且所述第一回热器与所述第一冷凝蒸发器之间设置有第一电子膨胀阀；
4.根据权利要求3所述的半导体温控设备，其特征在于，所述第...
【技术特征摘要】
1.一种半导体温控设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体温控设备，其特征在于，所述回热器组件包括第一回热器和第二回热器，所述高温级制冷系统包括依次设置的第一压缩机、冷凝器和第一蒸发冷凝器，所述第一压缩机和所述第一蒸发冷凝器之间设置有所述第一回热器；
3.根据权利要求2所述的半导体温控设备，其特征在于，所述高温级制冷系统设置有第一主路、第一冷旁通路和第一热旁通路，所述第一回热器设置于所述第一主路，且所述第一回热器与所述第一冷凝蒸发器之间设置有第一电子膨胀阀；
4.根据权利要求3所述的半导体温控设备，其特征在于，所述第一主路、所述第一冷旁通路和所述第一热旁通路的至少其中一个设置有热力膨胀阀；
5.根据权利要求3所述的半导体温控设备，其特征在于，所述第一热力膨胀阀和所述第三热力膨胀阀的感应端设置于所述第一回热器的出口和所述第一压缩机之间；所述第二热力膨胀阀的感应端设置于所述第一蒸...
【专利技术属性】
技术研发人员：常鑫，曹小康，董春辉，何茂栋，芮守祯，冯涛，李文博，张伟，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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