【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光刻，具体涉及纳米压印与近场光刻，尤其涉及一种吹气承片装置、光刻装置及光刻方法。
技术介绍
1、纳米压印光刻技术与近场光刻技术是具有广阔应用前景的微纳器件制备技术，有可能成为未来微纳加工和芯片制备的主流技术之一，可应用于微纳结构功能器件的低成本、大规模加工。这两种技术由于具有不受光学衍射极限的限制、制造成本低、加工面积大等优势，在微纳结构制造领域得到广泛关注。
2、无论是纳米压印光刻技术还是近场光刻技术，都需要掩模与基片或感光材料贴合的非常紧密、平整且均匀，才能够实现高分辨率图形的加工。这就要求基片承片台具有超高的平整度，才能满足这两种技术的应用条件。但是，高平整度承片台的加工难度与成本是限制以上两种技术向更高技术节点发展的一大瓶颈问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开的实施例提供一种吹气承片装置、光刻装置及光刻方法，在光刻过程中通过采用外部气压或气流来控制曝光场或压印场范围内基片与掩模之间的贴合程度，提升纳米压印与近场光刻的加工能力，从而解决上述技术问题。>
2、本公开实本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种吹气承片装置，包括：
2.根据权利要求1所述的吹气承片装置，其中，所述场区内沿中心指向边缘方向，所述通气孔的密度逐渐减小；
3.根据权利要求1或2所述的吹气承片装置，还包括：
4.根据权利要求3所述的吹气承片装置，其中，所述通气控制组件还被配置为：
5.根据权利要求4所述的吹气承片装置，还包括独立设置在各场区之外的：
6.根据权利要求1所述的吹气承片装置，其中，所述通气控制组件还被配置为：
7.根据权利要求1所述的吹气承片装置，其中，所述场区包括圆形场区、方形场区或环形场区；所述通气孔的形...
【技术特征摘要】
1.一种吹气承片装置，包括：
2.根据权利要求1所述的吹气承片装置，其中，所述场区内沿中心指向边缘方向，所述通气孔的密度逐渐减小；
3.根据权利要求1或2所述的吹气承片装置，还包括：
4.根据权利要求3所述的吹气承片装置，其中，所述通气控制组件还被配置为：
5.根据权利要求4所述的吹气承片装置，还包括独立设置在各场区之外的：
6.根据权利要求1所述的吹气承片装置，其中，所述通气控制组件还被配置为：
7.根据权利要求1所述的吹气承片装置，其中，所述场区包括圆形场区、方形场区或环形场区；所述通气孔的形状包括圆形...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗先刚，罗云飞，刘凯鹏，张译尹，牟帅，赵泽宇，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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