【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及卤素含氧酸溶液的制造方法，例如次氯酸四烷基铵溶液的制造方法。更具体而言，本专利技术提供在工业上有利制造保存稳定性优异的次氯酸四烷基铵溶液之类的卤素含氧酸溶液的装置、方法。
技术介绍
1、近年来，半导体元件的设计规则日益微细化，对半导体元件制造工序中的杂质管理的要求变得更加严格。半导体元件的制造工序中产生的杂质因每个制造工序而不同，因此对每个制造工序确定污染源，进而对成为其污染源的杂质的浓度进行管理是重要的。
2、此外，为了提高半导体元件的制造效率而使用超过300毫米的大口径的半导体晶圆(wafer)。就大口径的半导体晶圆而言，与小口径的半导体晶圆相比，未制作电子设备的端面部、背面部的面积大。因此，在形成金属布线的工序、形成阻挡金属(barrier metal)的工序中，金属布线材料、阻挡金属材料(以下有时也统称为“金属材料等”)变得不仅容易附着于形成半导体元件的半导体晶圆表面部，还容易附着于端面部、背面部等。其结果是，就大口径的半导体晶圆而言，与小口径的晶圆相比，附着于端面部、背面部的剩余的金属材料等的量增加。
3、附本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种卤素含氧酸的制造方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其包括：
4.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，
5.根据权利要求3所述的制造方法，其中，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的制造方法，其中，
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，
9.根据权利要求1～8中任一项所述的制造方法，其中，
10.一种卤素含氧酸的制造装置，其具备：
...【技术特征摘要】
1.一种卤素含氧酸的制造方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其包括：
4.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，
5.根据权利要求3所述的制造方法，其中，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的制造方法，其中，
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，
9.根据权利要求1～8中任一项所述的制造方法，其中，
10.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：根岸贵幸，下田享史，斋藤聪洋，松田直树，森胁正之，
申请(专利权)人：株式会社德山，
类型：发明
国别省市：
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