【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其是涉及一种晶圆热处理过程温度控制方法及晶圆热处理装置。
技术介绍
1、随着dram(dynamic random access memory，动态随机存储器)芯片的有效尺寸不断减小，对工艺的要求也越来越严苛，在晶圆热处理过程中，如果硅片加热不均匀，可能会导致一系列问题，具体的如以下所述：
2、1、晶格变形：硅片加热不均匀会导致不同区域的晶格受到不同的应力，这可能会导致晶格发生变形或失序。晶格变形会影响硅片的晶体结构，可能会使其电学特性发生变化，最终可能会导致硅片失效。
3、2、结构变化：硅片在不同的温度下膨胀和收缩，如果硅片加热不均匀，就会导致硅片表面的厚度和形状不均匀，不符合设计要求。此外，热应力可能会导致硅片表面出现裂纹或毛刺等缺陷。
4、3、产品质量下降：如果硅片加热不均匀，就会导致制造出的硅片具有不规则的形状、大小和厚度，这将降低硅片的产品质量。在生产过程中，加热不均匀的硅片需要被弃用，这将导致成本的增加。
5、4、故障率增加：热不均匀会导致硅片在某些...
【技术保护点】
1.一种晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，所述晶圆热处理过程温度控制方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，将晶圆划分成多个区域为将晶圆划分成多个面积相等的区域。
3.根据权利要求2所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，每个区域均对应的设置一个温度测量装置，并对对应区域的温度进行实时检测。
4.根据权利要求1所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，根据温度检测值调整对应各区域热源的加热量包括确定目标温度，将检测温度与目标温度进行比较，根据比较的差值对热源的加热量进行调整。>
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，所述晶圆热处理过程温度控制方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，将晶圆划分成多个区域为将晶圆划分成多个面积相等的区域。
3.根据权利要求2所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，每个区域均对应的设置一个温度测量装置，并对对应区域的温度进行实时检测。
4.根据权利要求1所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，根据温度检测值调整对应各区域热源的加热量包括确定目标温度，将检测温度与目标温度进行比较，根据比较的差值对热源的加热量进行调整。
5.根据权利要求1所述的晶圆热处理过程温...
【专利技术属性】
技术研发人员：耿玓，王桂磊，赵超，李伟伟，卢年端，李泠，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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