一种双面太阳能电池及其制备方法技术

本申请公开一种双面太阳能电池及其制备方法，制备方法：N型裸硅片抛光；在背面沉积第一隧穿氧化层、第一多晶硅层、掺硼多晶硅层、氧化硅层；退火形成背面BSG层和第一P型多晶硅层；去除正、侧面BSG，正面制绒，去正面绕度；双面沉积第二隧穿氧化层、底层多晶硅层、第三隧穿氧化层和顶层多晶硅层；磷扩形成顶、底层N型多晶硅层、正面PSG；去背面PSG和背顶层N型多晶硅层；激光去非印刷区正面PSG；去背面第三隧穿氧化层、背底层N型多晶硅层、非印刷区正顶层N型多晶硅层、印刷区正面PSG、背面第二隧穿氧化层和背面BSG；沉积氧化铝膜和背、正面钝化膜；丝网印刷、烧结和分选。本申请制备的电池输出效率高且生产成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池制造，具体涉及一种双面太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

1、隧穿氧化层钝化接触topcon(tunnel oxide passivated contact)太阳能电池的核心是在电池背面形成一层厚度约为1～2nm的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂的多晶硅，这两层共同构成了钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的界面钝化。随着topcon电池的使用逐渐广泛，提高效率、降低成本变得愈发重要。

2、目前，实现双面topcon的方法主要包括ink掩膜法和激光路线制备。然而，ink掩膜法存在丝印工序增加、辅助材料成本高、以及湿法槽体污染等问题，因此不利于成本控制和工艺稳定性。相比之下，激光开膜法能够减少成本并提高制程可控性。另一方面，激光路线制备的方法通常仅在正面形成finger区，而完全去除非finger区，然而，这种结构下非finger区的钝化效果不佳，且正面的poly-finger(印刷电极区域)的厚度与寄生吸收成正比，过厚的poly会影响电池的短路电流，从而降低电池的有效输出功率。

>技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S2中，采用PECVD的方式沉积所述第一隧穿氧化层、所述第一多晶硅层、至少两层所述掺硼多晶硅层和所述氧化硅层，沉积温度为400℃～530℃，硅烷流量为800sccm～2600sccm，笑气流量为5000sccm～20000sccm，氢气流量为4000sccm～15000sccm，硼源气体流量为500sccm～1500sccm，所述硼源气体为乙硼烷与氢气的混合气体，所述乙硼烷的浓度为3％～8％；

3.如权利要求1所述的一种双面太阳能电池的...

【技术特征摘要】

1.一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤s2中，采用pecvd的方式沉积所述第一隧穿氧化层、所述第一多晶硅层、至少两层所述掺硼多晶硅层和所述氧化硅层，沉积温度为400℃～530℃，硅烷流量为800sccm～2600sccm，笑气流量为5000sccm～20000sccm，氢气流量为4000sccm～15000sccm，硼源气体流量为500sccm～1500sccm，所述硼源气体为乙硼烷与氢气的混合气体，所述乙硼烷的浓度为3％～8％；

3.如权利要求1所述的一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤s3中，氮气流量为1slm～15slm，退火工序温度为800℃～960℃，退火时长为120min～160min。

4.如权利要求1所述的一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤s4中，采用浓度30％～50％的hf溶液去除所述正面bsg层和所述侧面bsg层，并在naoh溶液中对n型裸硅片进行正面制绒，所述背面bsg层保留20nm～60nm厚度。

5.如权利要求1所述的一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤s5中，采取lpcvd单插的方式进行沉积，沉积温度为500℃～650℃，沉积时长为200min～250min，所述第二隧穿氧化层的厚度为1nm～5nm，所述底...

【专利技术属性】
技术研发人员：余宗保，郭祥泰，张佳超，蒲卓林，何保杨，程青文，章伟，王佳军，温东培，
申请(专利权)人：芜湖协鑫集成新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：