叠层光伏器件及生产方法技术

本发明专利技术提供叠层光伏器件及生产方法，涉及光伏技术领域。叠层光伏器件包括：上层电池单元和下层电池单元，以及位于上层电池单元和下层电池单元之间的隧道结；下层电池单元为晶体硅电池；隧道结包括：上晶体硅层、下晶体硅层以及位于上晶体硅层和下晶体硅层之间的中间层；所述上晶体硅层、所述下晶体硅层、所述中间层直接接触，所述上晶体硅层和所述下晶体硅层的掺杂类型相反；所述上晶体硅层在与所述中间层的界面处的掺杂浓度、所述下晶体硅层在与所述中间层的界面处的掺杂浓度均大于或等于10<supgt;18</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;；所述中间层包括：至少一层介电层；所述介电层的带隙宽度大于或等于3eV。本申请提高了叠层光伏器件效率，降低了串联电阻，提升了峰值隧道电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，特别是涉及一种叠层光伏器件及生产方法。

技术介绍

1、叠层光伏器件可以将太阳光分成多个波段，从正面到背面，依次采用带隙逐渐减小的太阳能电池单元吸收不同能量的太阳光，以拓宽对太阳光的光谱响应波段，减少能量损失，因此，叠层光伏器件具有广泛的应用前景。以晶体硅电池为下层电池单元的叠层光伏器件具有较大的量产空间。

2、隧道结具有较强的传输与复合能力，实现较高的复合速率所需的厚度较薄，因此，叠层光伏器件中通常采用隧道结串联各个电池单元。

3、但是，现有技术中，下层电池单元为晶体硅电池的叠层光伏器件的隧道结隧穿效率低、器件整体串联电阻偏高。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种叠层光伏器件及生产方法，旨在解决下层电池单元为晶体硅电池的叠层光伏器件的隧道结隧穿效率低、器件整体串联电阻偏高的问题。

2、根据本专利技术的第一方面，提供了一种叠层光伏器件，所述叠层光伏器件包括：上层电池单元和下层电池单元，以及位于所述上层电池单元和所述下层电池单元之间的隧道结；所述下层电池单本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种叠层光伏器件，其特征在于，所述叠层光伏器件包括：上层电池单元和下层电池单元，以及位于所述上层电池单元和所述下层电池单元之间的隧道结；所述下层电池单元为晶体硅电池；

2.根据权利要求1所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述中间层还包括：位于所述介电层和所述上晶体硅层之间且与所述上晶体硅层直接接触的第一过渡层，和/或，位于所述介电层和所述下晶体硅层之间且与所述下晶体硅层直接接触的第二过渡层；

3.根据权利要求2所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述第一过渡层的材料选自所述介电层与所述上晶体硅层的界面反应的生成物中的至少一种；

4.根据权利要求1所述的叠...

【技术特征摘要】

1.一种叠层光伏器件，其特征在于，所述叠层光伏器件包括：上层电池单元和下层电池单元，以及位于所述上层电池单元和所述下层电池单元之间的隧道结；所述下层电池单元为晶体硅电池；

2.根据权利要求1所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述中间层还包括：位于所述介电层和所述上晶体硅层之间且与所述上晶体硅层直接接触的第一过渡层，和/或，位于所述介电层和所述下晶体硅层之间且与所述下晶体硅层直接接触的第二过渡层；

3.根据权利要求2所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述第一过渡层的材料选自所述介电层与所述上晶体硅层的界面反应的生成物中的至少一种；

4.根据权利要求1所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述上晶体硅层为单晶体硅层，和/或，所述下晶体硅层为单晶体硅层。

5.根据权利要求1至4中任一所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述介...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兆，徐琛，李子峰，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：