一种单层Cu2/3Na1/3Se材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种单层Cu<subgt;2/3</subgt;Na<subgt;1/3</subgt;Se材料及其制备方法，属于纳米材料技术领域。制备铜单晶基底；硒粉末蒸发并沉积在铜单晶基底得到基底和沉积在基底上的铜硒化合物，沉积过程控制基底上的铜硒化合物和铜单晶基底温度为25～30℃；将基底和沉积在基底上的铜硒化合物进行升温到生长温度保温处理；然后将钠单质蒸发沉积在基底和铜硒沉积物上得到钠掺杂硒化铜沉积物和基底，沉积过程控制基底和沉积物温度为25～30℃；将得到的钠掺杂硒化铜沉积物和基底在室温下进行保温处理得到大面积单层Cu<subgt;2/3</subgt;Na<subgt;1/</subgt;<subgt;3</subgt;Se材料。本发明专利技术制备得到的大面积单层Cu<subgt;2/</subgt;<subgt;3</subgt;Na<subgt;1/3</subgt;Se材料为二维网络结构，面积大于250平方纳米，且原子取向均一排列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米材料，具体地涉及一种在铜基底上预先沉积硒粉末形成铜硒化合物后再加入少量钠单质继而形成特定元素配比的一种单层cu2/3na1/3se材料的制备方法。

技术介绍

1、近几十年来，由于化石能源的快速消耗和日益严重的能源危机，对高能量/功率密度和低成本的二次电池的需求一直在增加。因此，开发替代传统电化学储能系统，已经引起了越来越多的关注。近年来，碱金属硫族化合物作为电极以及电解液在能源领域上得到了广泛的研究，尤其是在钠离子参与下其具有高能量、低成本的特点，被认为是在下一代储能系统中一种有吸引力的候选材料。但由于大部分多硒化物往往存在大体积变化的特点，所以导致其循环性能仍然不理想。所以找到一类非常规的、不符合化学计量配比的钠掺杂铜硒化物或许可以提供一种新的选择。

2、二维材料由于其丰富的理化性质和潜在且巨大的应用价值成为最近科研界的热点话题，这也为新型电子器件的发展提供了新机遇。在所有具有类石墨烯结构的二维过渡金属单硫属化合物材料中，单层硒化铜材料受到了广泛的关注。

3、对于天然图案化的单层硒化铜材料来说，是可以作为模板作用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单层Cu2/3Na1/3Se材料及其制备方法，其特征在于具体包括：

2.根据权利要求1所述的单层Cu2/3Na1/3Se材料及其制备方法，其特征在于：所述铜单晶基底的制备过程，具体为：

3.根据权利要求1所述的单层Cu2/3Na1/3Se材料及其制备方法，其特征在于：所述硒粉末的沉积温度为120℃～125℃，钠单质的沉积温度为700℃～710℃。

4.根据权利要求1所述的单层Cu2/3Na1/3Se材料的制备方法，其特征在于：硒粉末的沉积时间为15分钟～20分钟，钠单质的沉积时间为5分钟～10分钟。

5.如权利要求1所述的单层Cu2...

【技术特征摘要】

1.一种单层cu2/3na1/3se材料及其制备方法，其特征在于具体包括：

2.根据权利要求1所述的单层cu2/3na1/3se材料及其制备方法，其特征在于：所述铜单晶基底的制备过程，具体为：

3.根据权利要求1所述的单层cu2/3na1/3se材料及其制备方法，其特征在于：所述硒粉末的沉积温度为120℃～125℃，钠单质的沉积温度为700℃～710℃。

4.根据权利要求1所述的单层cu2/3na1/3se材料的制备方法，其特征在于：硒粉末的沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢建臣，牛格非，孙丽，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：