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本发明涉及一种单层Cu<subgt;2/3</subgt;Na<subgt;1/3</subgt;Se材料及其制备方法，属于纳米材料技术领域。制备铜单晶基底；硒粉末蒸发并沉积在铜单晶基底得到基底和沉积在基底上的铜硒化...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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