【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示装置制造，尤其涉及一种化学气相沉积装置。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，等离子体增强化学气相沉积(plasma enhancedchemical vapor deposition，pecvd)装置的开发和使用日益广泛。该装置利用相互平行相对的两块电极板置于真空环境中，其中一块电极板接射频(radio frequency,rf)电源，另一块电极板接地。使两块电极板之间产生射频电场，将需要成膜的基板放置于两块电极板间，待成膜工艺气体进入两块电极板之间，在射频电场的作用下被激发成为等离子体，等离子体吸附在基板表面或者和基板表面发生反应从而在基板表面形成薄膜。
2、参照图1所示，现有的一种化学气相沉积装置，包括壳体1′、上电极2′、下电极3′和输入管4′，壳体1′内设置有用于容纳玻璃基板5′的沉积腔室11′，上电极2′与下电极3′间隔设置在沉积腔室11′内，玻璃基板5′位于上电极2′与下电极3′之间，输入管4′焊接在上电极2′上，沉积镀膜时，上电极2′向下喷出带有等离子体的气体，并沉积在玻璃基板5′表面以形成薄膜
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【技术保护点】
1.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述导料管包括相互连接的主管和波纹管，所述主管设置在所述支架上，所述波纹管用于补偿热胀冷缩引起的尺寸变化。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述波纹管上设置有第三法兰，所述主管上设置有第四法兰，所述第三法兰与所述第四法兰可拆卸连接。
4.根据权利要求3所述的化学气相沉积装置，其特征在于，相邻两个法兰中的一者设置有导向部，另一者设置有导向槽，所述导向部插设于所述导向槽内。
5.根据权利要求4所述的化学气...
【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述导料管包括相互连接的主管和波纹管，所述主管设置在所述支架上，所述波纹管用于补偿热胀冷缩引起的尺寸变化。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述波纹管上设置有第三法兰，所述主管上设置有第四法兰，所述第三法兰与所述第四法兰可拆卸连接。
4.根据权利要求3所述的化学气相沉积装置，其特征在于，相邻两个法兰中的一者设置有导向部，另一者设置有导向槽，所述导向部插设于所述导向槽内。
5.根据权利要求4所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述导向部和所述导向槽两者中的一者设置有第一磁铁，另一者设置有第二磁铁，所述第一磁铁与所述第二磁铁相吸。
6.根据权利要求2-5任一项所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述主管包括间隔设置的第一主管和第二主管，所述波纹管连接所述第一主管和所述第二主管，所述第一主管与所述连接部连接，所述第二主管用于连接外部反应气体源，所述进料组件还包括液冷管，所述液冷管呈多圈环绕设置在所述第二主管的外周。
7.根据权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨贤烁，
申请(专利权)人：乐金显示光电科技中国有限公司，
类型：新型
国别省市：
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