【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及电压供应电路、包括该电压供应电路的存储器件、以及该存储器件的操作方法,并且更具体地,涉及对存储器件的字线或位线进行充电的方法。
技术介绍
1、最近,已经以三维器件的形式开发了存储器件。随着在3d存储器件中针对单元阵列的堆叠层的数量增加,充电容量也增加。
2、在对存储器件中的字线或位线进行充电的相关技术的方法中,将具有恒定值的电压施加到字线或位线。然而,当连续地施加恒定电压时,用于对字线或位线进行充电的电力消耗增加。
3、因此,为了解决上述问题和/或其他问题,有必要开发用于减小在对存储器件的字线或位线进行充电中的电力消耗的新技术。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种对字线或位线进行充电的方法,在该方法中,在多个充电阶段中分别施加各个恒定电压。
2、通过在各自的充电阶段施加具有不同大小的电压,本公开的实施例公开了一种用于减小用于对字线或位线进行充电的电力消耗的存储器件。
3、根据本公开的一个方面,提供了一种存储器件,包括
...【技术保护点】
1.一种存储器件,包括:
2.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述第二电压大于所述第一电压。
3.根据权利要求1所述的存储器件,还包括:
4.根据权利要求1所述的存储器件,还包括:计数器,被配置为对所述第一电压的供应时间进行计数,
5.根据权利要求3所述的存储器件,还包括:电流传感器,被配置为检测通过所述第一开关和所述第二开关的电流的强度,
6.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述第二充电端子被配置为基于所述第一电流的平均强度被确定为满足第一参考电流,供应所述第二电压。
7.根据权利要求5
...【技术特征摘要】
1.一种存储器件,包括:
2.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述第二电压大于所述第一电压。
3.根据权利要求1所述的存储器件,还包括:
4.根据权利要求1所述的存储器件,还包括:计数器,被配置为对所述第一电压的供应时间进行计数,
5.根据权利要求3所述的存储器件,还包括:电流传感器,被配置为检测通过所述第一开关和所述第二开关的电流的强度,
6.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述第二充电端子被配置为基于所述第一电流的平均强度被确定为满足第一参考电流,供应所述第二电压。
7.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述第二充电端子被配置为基于通过所述第二开关的第二电流的平均强度被确定为满足第一参考电流,停止供应所述第二电压。
8.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述第二充电端子被配置为基于所述第一电流的最大值被确定为满足第二参考电流,开始供应所述第二电压。
9.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述第二充电端子被配置为基于通过所述第二开关的第二电流的最大值被确定为满足第二参考电流,停止供应所述第二电压。
10.一种存储器件的操作方法,所述操作方法包括:
11.根据权利要求10所述的操作方法,还包括:将所述第二电压设置为大于所述第一电压的...
【专利技术属性】
技术研发人员:尹梓洋,金治贤,南尚完,尹治元,崔亨途,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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