一种改善硅晶圆贴合精度的装置制造方法及图纸

本技术公开了一种改善硅晶圆贴合精度的装置，包括定位基座和套设于所述定位基座外侧的定位圈；所述定位基座上设有多个定位pin，所述定位pin用于对硅晶圆进行定位，确保定位后所述硅晶圆与所述定位基座保持同心状态；所述定位圈上设有多个定位块，所述定位块包括水平块以及位于所述水平块上方的挡板，所述水平块用于水平支撑block，所述挡板用于对所述block进行定位，确保定位后所述block与所述定位圈保持同心状态。本申请提供的装置制作简单，成本低，且操作简单，能够解决block在现有技术底座上贴合硅片时偏移的问题，提高贴合精度，改善了硅片的平坦度。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体硅晶圆生产，具体涉及一种改善硅晶圆贴合精度的装置。

技术介绍

1、硅晶圆的平坦度会影响芯片微影制程中光阻旋涂的厚度，使得厚区及薄区光阻的微影结果产生差别，造成线宽的差异。随着ic制造技术发展遵循摩尔定律，工艺线宽越来越窄，对硅晶圆的平坦度的性能要求越来越高。

2、目前8寸硅晶圆的平坦度主要采用单面抛光控制，其原理为化学机械抛光chemical-mechanical polishing(cmp)，是改善前制程(研磨和蚀刻)留下的微缺陷，以获得平坦度较佳硅晶圆的一种方法，其过程相当复杂，影响因素很多。现有的8寸化学机械抛光技术为实现高平坦度，一般会对抛光设备本身以及物料进行优化，其中在cmp抛光过程中，是借于block(陶瓷盘)通过水蜡在mount(底座)上贴合硅晶圆后下压在抛光盘抛光布上，搭配抛光液在离心力作用下，进行化学机械抛光。block与硅晶圆的贴合精度对硅晶圆的平坦度有直接影响，目前的mount(底座)容易使block与硅晶圆在贴合时发生偏移。在贴片过程中如何确保block与硅晶圆的贴合精度，使block中心与硅晶圆的中心本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善硅晶圆贴合精度的装置，其特征在于，包括定位基座和套设于所述定位基座外侧的定位圈；

2.如权利要求1所述的改善硅晶圆贴合精度的装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的改善硅晶圆贴合精度的装置，其特征在于，

4.如权利要求2所述的改善硅晶圆贴合精度的装置，其特征在于，

5.如权利要求1所述的改善硅晶圆贴合精度的装置，其特征在于，

6.如权利要求1所述的改善硅晶圆贴合精度的装置，其特征在于，

7.如权利要求1所述的改善硅晶圆贴合精度的装置，其特征在于，

8.如权利要求7所述的改善硅晶圆贴合精度的装...

【技术特征摘要】

1.一种改善硅晶圆贴合精度的装置，其特征在于，包括定位基座和套设于所述定位基座外侧的定位圈；

2.如权利要求1所述的改善硅晶圆贴合精度的装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的改善硅晶圆贴合精度的装置，其特征在于，

4.如权利要求2所述的改善硅晶圆贴合精度的装置，其特征在于，

5.如权利要求1所述的改善硅晶圆贴合精度的装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴泓明，钟佑生，黄郁璿，侯国辉，孙耀威，
申请(专利权)人：郑州合晶硅材料有限公司，
类型：新型
国别省市：