真空封装结构制造技术

技术编号:41959910 阅读:78 留言:0更新日期:2024-07-10 16:44
本技术提供了一种真空封装结构。真空封装结构包括:衬底;导电基座,导电基座设置在衬底表面;第一吸气剂层,第一吸气剂层设置于导电基座表面;微桥结构,微桥结构支撑设置于第一吸气剂层的表面;第二吸气剂层,第二吸气剂层设置于导电基座表面,且位于第一吸气剂层与微桥结构围合的空间内。本技术无需在元器件封装管壳上焊接吸气剂柱或吸气剂片,无需在盖板上为吸气剂提供额外空间,在减小元器件封装尺寸,降低器件成本的情况下,增大了吸气剂的暴露面积,提高了元器件的真空度;且能够通过电激活或热激活方式对第一吸气剂层及第二吸气剂层进行多次激活,增加第一吸气剂层及第二吸气剂层的寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及红外传感器领域,尤其涉及一种真空封装结构


技术介绍

1、红外焦平面传感器能够对外界红外辐射产生响应,是红外热成像设备的核心器件。为了让红外焦平面传感器对目标物的红外信号有较高的响应率,传感器必须真空封装,以最大程度降低其空气热导。

2、目前,焦平面红外传感器常用金属、陶瓷和晶圆级等真空封装方式。金属、陶瓷封装使用柱状、片状吸气剂,利用激光点焊工艺将吸气剂焊接在封装管壳中,通过排气尾管将封装外壳内部抽成真空后,采用电激活或热激活的方式激活吸气剂,以达到管壳内长期维持真空封装的效果。但是,以上封装方式中,吸气剂需要在焦平面阵列区域外的空间放置,导致器件封装尺寸较大,成本较高,且封装工序复杂。晶圆级封装采用薄膜吸气剂,将吸气剂沉积到盖帽晶圆上,需要先通过高温的方式激活盖帽晶圆上的吸气剂,再通过共晶键合工艺完成晶圆键合封装。但晶圆级封装的盖帽大部分区域为红外光通过区域,不能沉积吸气剂材料,导致吸气剂布局空间十分有限;此外,晶圆级封装红外传感器的吸气剂一般布局在盖帽晶圆上,无电学激活回路,致使器件真空失效后无法再次激活吸气剂以延长器件工作寿命本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种真空封装结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的真空封装结构,其特征在于,在垂直所述衬底的方向上,所述第二吸气剂层在所述衬底上的正投影的边缘突出于所述微桥结构在所述衬底上的正投影的边缘。

3.根据权利要求1所述的真空封装结构,其特征在于,所述衬底内设置有驱动电路,所述驱动电路与所述导电基座连接,为所述第一吸气剂层及所述第二吸气剂层提供激活电流。

4.根据权利要求1所述的真空封装结构,其特征在于,包括多个所述导电基座,多个所述导电基座相对对称设置于所述衬底表面。

5.根据权利要求1所述的真空封装结构,其特征在于,所述微桥结构...

【技术特征摘要】

1.一种真空封装结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的真空封装结构,其特征在于,在垂直所述衬底的方向上,所述第二吸气剂层在所述衬底上的正投影的边缘突出于所述微桥结构在所述衬底上的正投影的边缘。

3.根据权利要求1所述的真空封装结构,其特征在于,所述衬底内设置有驱动电路,所述驱动电路与所述导电基座连接,为所述第一吸气剂层及所述第二吸气剂层提供激活电流。

4.根据权利要求1所述的真空封装结构,其特征在于,包括多个所述导电基座,多个所述导电基座相对对称设置...

【专利技术属性】
技术研发人员:钱良山杨翔宇罗雯雯潘峰马志刚姜利军范奇罗华林
申请(专利权)人:浙江大立科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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