一种温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法。该方法通过温和的氟化剂，将氟原子通过原子沉积法沉积在纳米多孔吸附剂表面，形成稳定的钝化层。经过氟化改性的纳米多孔吸附剂，稳定性大大增加，能够耐受F2、HF等腐蚀性极强的气体，适用于工业气体提纯领域中的极端工况。相比于传统的氟化方法，本方法温和、选择性高，对纳米多孔吸附剂的孔结构破坏程度小；同时本发明专利技术操作简单，使用的氟化剂稳定易储存，是一种安全可控的改性方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及工业气体提纯和回收，具体涉及一种温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法。

技术介绍

1、随着集成电路的快速发展，半导体需求量显著增加。电子气体作为半导体生产行业的上游产品，是电子制造的关键基础原料，近四年来市场规模呈现飞速增长趋势，其需求量高达14％，仅次于硅片。电子气体的纯度与电子半导体器件的性能优劣息息相关，因此探索和发展电子气体高效提纯的方法具有实际意义。从电子特种气体中脱除杂质的方法包括精馏法、化学吸收法及吸附法等，其中吸附法由于其对杂质脱除深度高、设备简单和能耗低等优点，被认为是能实现高效脱除电子特气中痕量杂质的有力手段。选择合适的吸附剂是需要考虑的关键因素之一。

2、然而，针对具有高腐蚀性的电子气体提纯如f2、hf等，传统吸附剂包括沸石、多孔碳、mofs和多孔聚合物的耐腐蚀程度低，在提纯过程中孔结构容易被破坏，导致对电子特种气体中痕量杂质(如co2、h2o、n2)的吸附分离性能严重下降，无法满足电子气体深度纯化的需求。其他碳氟烃电子气体在生产和半导体制造中，往往会产生高腐蚀性的副产物hf，在分离纯化和尾气回收中也面临着上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法，其特征在于，包含以下步骤:

2.根据权利要求1所述温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法，其特征在于，所述纳米多孔吸附剂为纳米多孔聚合物、纳米多孔碳、纳米多孔碳纤维和纳米多孔氧化铝中的一种。

3.根据权利要求1或2所述温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法，其特征在于，所述的纳米多孔吸附剂是纳米孔吸附剂，比表面积为500～1700m2/g，在2nm以下有集中的孔径分布。

4.根据权利要求1所述温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法，其特征在于，所述的温和氟化剂为XeF2，MnF3，CoF3的一种以上；氟化剂与纳米...

【技术特征摘要】

1.一种温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法，其特征在于，包含以下步骤:

2.根据权利要求1所述温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法，其特征在于，所述纳米多孔吸附剂为纳米多孔聚合物、纳米多孔碳、纳米多孔碳纤维和纳米多孔氧化铝中的一种。

3.根据权利要求1或2所述温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法，其特征在于，所述的纳米多孔吸附剂是纳米孔吸附剂，比表面积为500～1700m2/g，在2nm以下有集中的孔径分布。

4.根据权利要求1所述温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法，其特征在于，所述的温和氟化剂为xef2，mnf3，cof3的一种以上；氟化剂与纳米多孔吸附剂的质量比为1～3。

5.根据权利要求1所述温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法，其特征在于，所述催化剂为bf3·et2o，hf的一种或多种，总当量为0.02eq。

6.根据权利要求1所述温和氟化改性纳米多孔吸附剂的制备方法，其特征在于，原子沉积过程中所使...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖静，张伟伟，周晓莹，杨翠婷，杜政霖，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：