【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种外延层刻蚀方法。
技术介绍
1、发光芯片利用半导体pn结注入式电致发光原理制成。其具有能耗低、体积小、寿命长、稳定性好、响应快和发光波长稳定等好的光电性能，目前已经在照明、家电、显示屏、指示灯等领域有很好的应用。
2、目前市场对低电压和高亮度的需求日益增长，为了满足发光芯片在各个领域的应用需求，如何进一步提出提高发光芯片的亮度一直是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种外延层刻蚀方法，旨在解决如何提高发光芯片亮度的问题。
2、一种外延层刻蚀方法，包括：提供一外延层，所述外延层具有相对设置的顶面与底面，在沿着所述底面指向所述顶面的方向上，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层及第二半导体层；
3、在所述第二半导体层远离所述有源层的一侧覆盖一层掩膜；
4、在所述掩膜的掩护下对所述外延层进行刻蚀，以在所述外延层的所述顶面与所述底面之间形成第一倾斜侧面；以及
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【技术保护点】
1.一种外延层刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的外延层刻蚀方法，其特征在于，所述在所述掩膜的掩护下继续对所述外延层进行刻蚀，以形成斜率与所述第一倾斜侧面不同的第二倾斜侧面之后还包括：继续对该外延层进行刻蚀，以形成电极台面。
3.如权利要求1或2所述的外延层刻蚀方法，其特征在于，所述第一倾斜侧面的斜率小于所述第二倾斜侧面的斜率。
4.如权利要求3所述的外延层刻蚀方法，其特征在于，形成所述第一倾斜侧面时，对所述外延层的第一刻蚀速率小于对所述掩膜的第二刻蚀速率；
5.如权利要求4所述的外延层刻蚀方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种外延层刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的外延层刻蚀方法，其特征在于，所述在所述掩膜的掩护下继续对所述外延层进行刻蚀，以形成斜率与所述第一倾斜侧面不同的第二倾斜侧面之后还包括：继续对该外延层进行刻蚀，以形成电极台面。
3.如权利要求1或2所述的外延层刻蚀方法，其特征在于，所述第一倾斜侧面的斜率小于所述第二倾斜侧面的斜率。
4.如权利要求3所述的外延层刻蚀方法，其特征在于，形成所述第一倾斜侧面时，对所述外延层的第一刻蚀速率小于对所述掩膜的第二刻蚀速率；
5.如权利要求4所述的外延层刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀速率与所述第二刻蚀速率比为0.3～0.8。
6.如权利要求4所述的外延层刻蚀方法，其特征在于，所述第三...
【专利技术属性】
技术研发人员：岳晓，黄琪兵，王怀超，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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