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本申请涉及一种外延层刻蚀方法。该外延层刻蚀方法包括：提供一外延层，外延层具有相对设置的顶面与底面，在沿着底面指向顶面的方向上，外延层依次包括第一半导体层、有源层及第二半导体层；在第二半导体层远离有源层的一侧覆盖一层掩膜；在掩膜的掩护下对外延...
该专利属于重庆康佳光电技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆康佳光电技术研究院有限公司授权不得商用。

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