【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，特别是涉及一种半导体芯片的测试电路结构以及半导体芯片。
技术介绍
1、测试电路结构为半导体芯片可靠性评估时不可或缺的结构，现有的测试电路结构在半导体芯片铜制程后无法对半导体芯片表面出现的缺陷和腐蚀问题进行直接检测，需要等到半导体芯片制成后才能进行最终电性测试，且检测出带有缺陷或腐蚀问题的半导体芯片无法使用，降低了半导体芯片的成品率。因此，存在待改进之处。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种半导体芯片的测试电路结构以及半导体芯片，改善了无法对半导体芯片的缺陷和腐蚀进行直接检测的问题。
2、为解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：
3、本技术提供一种半导体芯片的测试电路结构，包括：
4、第一电极测试端；
5、第二电极测试端，所述第一电极测试端与所述第二电极测试端间连接有导电连接线；
6、至少一根缺陷检测线，设于所述导电连接线的一侧；以及
7、腐蚀测试端，所述...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片的测试电路结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的测试电路结构，其特征在于，所述导电连接线的宽度小于或等于所述腐蚀测试线的宽度，且所述腐蚀测试线至少与部分所述导电连接线相互平行。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片的测试电路结构，其特征在于，多根所述缺陷检测线、多根所述腐蚀测试线分别以所述导电连接线为对称中心呈中心对称设置。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片的测试电路结构，其特征在于，所述腐蚀测试端设置有至少一个，且不同的所述腐蚀测试端电连接不同的所述腐蚀测试线。
5.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的测试电路结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的测试电路结构，其特征在于，所述导电连接线的宽度小于或等于所述腐蚀测试线的宽度，且所述腐蚀测试线至少与部分所述导电连接线相互平行。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片的测试电路结构，其特征在于，多根所述缺陷检测线、多根所述腐蚀测试线分别以所述导电连接线为对称中心呈中心对称设置。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片的测试电路结构，其特征在于，所述腐蚀测试端设置有至少一个，且不同的所述腐蚀测试端电连接不同的所述腐蚀测试线。
5.根据权利要求3所述的半导体芯片的测试电路结构，其特征在于，所述腐蚀测试线与所述导电连接线间的横向最小垂直距离大于或等于10nm，且小于或等于100nm...
【专利技术属性】
技术研发人员：王贺祥，陈冠中，林今焕，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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