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本技术提供一种半导体芯片的测试电路结构,包括:第一电极测试端;第二电极测试端,所述第一电极测试端与所述第二电极测试端间连接有导电连接线;至少一根缺陷检测线,设于所述导电连接线的一侧;以及腐蚀测试端,所述腐蚀测试端上电连接有至少一根腐蚀测试线...该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。
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